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Image: APT60M60JFLL_03 APT60M60JFLL_03 Advanced Power Technology power mos 7 R fredfet
Image: APT60M75JFLL_04 APT60M75JFLL_04 Advanced Power Technology power mos 7 R fredfet
Image: APT60M75JVFR APT60M75JVFR Advanced Power Technology power mos V fredfet
Image: APT60M75L2FLL_04 APT60M75L2FLL_04 Advanced Power Technology power mos 7 R fredfet
Image: APT60M80L2VFR APT60M80L2VFR Advanced Power Technology power mos V fredfet
Image: APT6045BVFR APT6045BVFR Microsemi Corporation power mos V? fredfet
Image: APT6015JVFR APT6015JVFR Advanced Power Technology power mos V fredfet
Image: APT6010B2FLL APT6010B2FLL Advanced Power Technology power mos 7 fredfet
Image: APT6010B2FLL APT6010B2FLL Microsemi Corporation power mos 7 fredfet
Image: APT6010LFLL APT6010LFLL Advanced Power Technology power mos 7 fredfet
Image: APT6010LFLL APT6010LFLL Microsemi Corporation power mos 7 fredfet
Image: APT6010LFLLG APT6010LFLLG Microsemi Corporation power mos 7 fredfet
Image: IRSM505-084PA IRSM505-084PA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 cipos™micro 基于250 V，0.45Ω的三相mosfet 智能电源模块 它采用sop 29x12f封装的开放源代码，具有优化的功能和紧凑的封装模块，可为小型电机驱动应用（包括小型家用电器，低功率工业驱动器等）提供高成本效益。内置ntc热敏电阻可进行温度监控。 特征描述 基于低R DS（on）沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与高级输入滤波器兼容的3.3 V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压（-Vs） 电机额定功率在10 khz时高达95 W 内置温度传感器
Image: IRSM515-024PA IRSM515-024PA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 基于低rds（on）沟fredfet 集成引导功能 欠压闭锁 所有信道的匹配传播延迟 与高级输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器耐受负瞬态电压（-Vs） 电机额定功率95 khz至10 W 内置温度传感器 UL认证 优势 旨在提高系统效率 集成度高，易于设计并节省系统空间 通过各种包装选项实现灵活的设计能力
Image: IRSM515-024DA IRSM515-024DA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 基于低rds（on）沟fredfet 集成引导功能 欠压闭锁 所有信道的匹配传播延迟 与高级输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器耐受负瞬态电压（-Vs） 10 khz时电机额定功率高达40 W UL认证 优势 旨在提高系统效率 集成度高，易于设计并节省系统空间 通过各种包装选项实现灵活的设计能力
Image: IRSM505-024PA IRSM505-024PA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 cipos™micro 基于250 V，2.2Ω的三相mosfet 智能电源模块 它采用sop 29x12f封装的开放源代码，具有优化的功能和紧凑的封装模块，可为小型电机驱动应用（包括小型家用电器，低功率工业驱动器等）提供高成本效益。内置ntc热敏电阻可进行温度监控。 特征描述 基于低R DS（on）沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与高级输入滤波器兼容的3.3 V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压（-Vs） 电机额定功率在10 khz时高达40 W 内置温度传感器 UL认证
Image: IRSM505-024DA IRSM505-024DA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 cipos™micro 基于250 V，2.2Ω的三相mosfet 智能电源模块 采用dip 29x12f封装的开放源代码，通过优化的功能和紧凑的封装模块为小型电机驱动应用（包括小型家用电器，低功率工业驱动器等）提供了高成本效益。 特征描述 基于低R DS（on）沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与先进的输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压（-Vs） 电机额定功率在10khz时高达40w 内置温度传感器
Image: IRSM515-065PA IRSM515-065PA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 cipos™micro 基于500 V，1.3Ω的三相mosfet 智能电源模块 采用sop 29x12f封装的开放源代码，通过优化的功能和紧凑的封装模块为小型电机驱动应用（包括小型家用电器，低功率工业驱动器等）提供高成本效益。 特征描述 基于低R DS（on）沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与先进的输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压（-Vs） 电机额定功率在10khz时高达85w
Image: IRSM515-065DA IRSM515-065DA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 cipos™micro 基于500 V，1.3Ω的三相mosfet 智能电源模块 采用dip 29x12f封装的开放源代码，通过优化的功能和紧凑的封装模块为小型电机驱动应用（包括小型家用电器，低功率工业驱动器等）提供了高成本效益。 特征描述 基于低R DS（on）沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与先进的输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压（-Vs） 电机额定功率在10khz时高达85w
Image: IRSM515-055PA IRSM515-055PA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 cipos公司™ micro 500 V，1.7Ω三相mosfet智能功率模块，在sop 29x12f封装中具有开源，通过优化功能和紧凑封装模块，为低电机驱动应用（包括小家电、低功耗工业驱动器等）提供高成本效率。 特征描述 基于低rds（on）沟fredfet 欠压闭锁 所有信道的匹配传播延迟 与高级输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器耐受负瞬态电压（-Vs） 10khz时电机额定功率高达85w

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