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Image: 761129 761129 Spectrum Digital 嵌入式解决方案 工程工具 development boards & kits - tms320 ezdsp f2812 studio 150mhz +5volts
Image: TMDSEZS2812 TMDSEZS2812 Texas Instruments 嵌入式解决方案 工程工具 development boards & kits - tms320 f2812 ezdsp starter kit-socketed version
Image: 761128 761128 Spectrum Digital 嵌入式解决方案 工程工具 development boards & kits - tms320 eZdsp f2812 for tms320f2812 dsp
Image: 701130 701130 Spectrum Digital 嵌入式解决方案 工程工具 development software ecan lite for f2812/f2808 dsp
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Image: TMDSEVU2812 TMDSEVU2812 Texas Instruments 嵌入式解决方案 评估板 - 嵌入式 - MCU, DSP bundle dev f2812 W/usb emulator
Image: TMDSEVP2812 TMDSEVP2812 Texas Instruments 嵌入式解决方案 评估板 - 嵌入式 - MCU, DSP dev bundle W/PP+ emulator f2812
Image: TMDSEZS2812-0E TMDSEZS2812-0E Texas Instruments 嵌入式解决方案 评估板 - 嵌入式 - MCU, DSP bundle dev f2812 W/usb EM & cord
Image: TMDSEZD2812-0E TMDSEZD2812-0E Texas Instruments 嵌入式解决方案 评估板 - 嵌入式 - MCU, DSP EZ-dsp starter kit for f2812
Image: TMDSEVU2812-0E TMDSEVU2812-0E Texas Instruments 嵌入式解决方案 评估板 - 嵌入式 - MCU, DSP bundle dev f2812 W/usb emulator
Image: TMS320R2812 TMS320R2812 Texas Instruments 半导体 微控制器 高性能静态cmos工艺 150兆赫（6.67纳秒周期） 低功耗（135 mhz时为1.8 V核，150 mhz时为1.9 V核，3.3 V I/O）设计 jtag边界扫描支持 高性能32位cpu（tms320c28x） 16 x 16和32 x 32 mac操作 16 x 16双mac 哈佛巴士架构 原子操作 快速中断响应和处理 统一内存编程模型 4M线性程序/数据地址范围 代码高效（C/C++和汇编） 与f2810、f2811和F2812设备兼容的代码和引脚 tms320f24x/lf240x处理器源代码兼容 片上存储器 20k x 16总单访问ram（SAram） L0和L1:2块4K x 16，每个SAram L2和L3:2块1K X 16 SAram H0:1块8K x 16 SAram M0和M1:2块1K x 16，每个SAram spi、sci和gpio引导加载程序模式，支持将代码从片外源加载到片内ram。spi引导模式支持从外部串行EEProm加载。 启动rom（4K x 16） 使用软件启动模式 标准数学表 外部接口（2812） 总内存高达1M 可编程等待状态 可编程读/写选通时序 三个独立芯片选择 时钟和系统控制 支持动态pll比率更改 片上振荡器 看门狗定时器模块 三次外部中断 支持45个外围中断的外围中断扩展（pie）块 三个32位cpu定时器 电机控制外围设备 两名活动经理（eva、evb） 兼容240xa设备
Image: TMS320R2811 TMS320R2811 Texas Instruments 半导体 微控制器 高性能静态cmos工艺 150兆赫（6.67纳秒周期） 低功耗（135 mhz时为1.8 V核，150 mhz时为1.9 V核，3.3 V I/O）设计 jtag边界扫描支持 高性能32位cpu（tms320c28x） 16 x 16和32 x 32 mac操作 16 x 16双mac 哈佛巴士架构 原子操作 快速中断响应和处理 统一内存编程模型 4M线性程序/数据地址范围 代码高效（C/C++和汇编） 与f2810、f2811和F2812设备兼容的代码和引脚 tms320f24x/lf240x处理器源代码兼容 片上存储器 20k x 16总单访问ram（SAram） L0和L1:2块4K x 16，每个SAram L2和L3:2块1K X 16 SAram H0:1块8K x 16 SAram M0和M1:2块1K x 16，每个SAram spi、sci和gpio引导加载程序模式，支持将代码从片外源加载到片内ram。spi引导模式支持从外部串行EEProm加载。 启动rom（4K x 16） 使用软件启动模式 标准数学表 外部接口（2812） 总内存高达1M 可编程等待状态 可编程读/写选通时序 三个独立芯片选择 时钟和系统控制

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