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- 标准
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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LM111QML | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 可保证辐射 高剂量率50克拉（Si） 低剂量和无eldrs 100 krad（Si） 由单个5V电源供电 输入电流：200毫安最大超温 偏置电流：20毫安最大超温 差分输入电压范围：±30伏 功耗：135 mW±15伏 电源电压，单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力 | |
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LM119QML | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 可保证辐射 高剂量率100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常在±15v下80 ns响应时间 每侧至少有2个风扇 1μA过温最大输入电流 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率 | |
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LM193QML | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 提供辐射保证 总电离剂量100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 广泛供应 电压范围：2.0vdc至36vdc 单电源或双电源：±1.0伏至±18伏 极低电源电流消耗（0.4 mA）— 独立于电源电压 低输入偏置电流：25毫安典型值 低输入偏置电流：±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压，典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与ttl，dtl，ecl，mos和Cmos逻辑系统兼容 | |
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LM139AQML | Texas Instruments | 半导体 RF 晶体管 (BJT) | 可保证辐射 总电离剂量100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 宽电源电压范围 lm139/139a系列2至36 V DC或±1至±18伏直流电 极低的电源电流消耗（0.8 mA）-与电源电压无关 低输入偏置电流：25毫安 低输入偏置电流：±5不适用 偏移电压：±1毫伏 输入共模电压范围包括gnd 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压：4 mA时为250 mV 输出电压与ttl，dtl，ecl，mos和Cmos逻辑系统兼容 | |
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LM111QML-SP | Texas Instruments | 半导体 晶体管 | 可保证辐射 高剂量率50克拉（Si） 低剂量和无eldrs 100 krad（Si） 由单个5V电源供电 输入电流：200毫安最大超温 偏置电流：20毫安最大超温 差分输入电压范围：±30伏 功耗：135 mW±15伏 电源电压，单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力 | |
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LM158QML-SP | Texas Instruments | 半导体 晶体管 | 提供辐射规格 高剂量率100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 单位增益内部频率补偿 直流电压增益大： 100分贝 宽带（单位增益）： 1 MH z（温度补偿） 宽电源范围： 单电源： 3V至32v 或双电源： ±1.5V至±16伏 极低的电源电流消耗（500μ（一）− 基本上独立于电源电压 低输入偏移电压： 2毫伏 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 输出电压摆幅大： 0V至V+− 1.5伏 | |
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LM193QML-SP | Texas Instruments | 半导体 晶体管 | 提供辐射保证 总电离剂量100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 广泛供应 电压范围：2.0vdc至36vdc 单电源或双电源：±1.0伏至±18伏 极低的电源电流消耗（0.4 mA）-与电源电压无关 低输入偏置电流：25毫安典型值 低输入偏置电流：±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压，典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与ttl，dtl，ecl，mos和Cmos逻辑系统兼容 | |
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LM139AQML-SP | Texas Instruments | 半导体 晶体管 | 100krad (si) eldr free 100krad (si) wide supply voltage rangelm139/139a series 2 to 36vdc or ± 1 to ± 18vdcvery low supply current dri漏(0.8 ma)ー与电源电压无关的输入偏置电流: 25nalow 输入偏置电流: ± 5 naalow 偏置电压: ± 1 mvinput 公共模式电压范围包括 dgnmv 输入电压范围等于电源电压饱和差动输出电压: 250 at 4 maxat 4 mathtttl，dtl，cmos，ecl，mos 和逻辑系统兼容 | |
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LMP2012QML-SP | Texas Instruments | 半导体 晶体管 | 吸收剂量50 krad (si) eldrs free 50 krad (si) tcvio 温度灵敏度(典型)0.015 v/° c (v s = 5v，除非另有说明)低温确保 vio 超过温度60 v 低噪声没有1/f 35nv/√ high cmrr 90 dbhigh psrr 90 dbwide 增益产品3mhzzmr 高转换率4v/srail-to-rail 输出30mvno 外部需要 |
