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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: EMD38 EMD38 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性npn + pnp电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.1输入电阻R1 1 [kΩ]10.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]1.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]10.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装等效（单部分）dta113z / dtc114y储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMD3 EMD3 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性npn + pnp电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.1输入电阻R1 1 [kΩ]10.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]10.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]10.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装等效（单部分）dta114e / dtc114e储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMD22 EMD22 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性npn + pnp电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.1输入电阻R1 1 [kΩ]4.7发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]4.7发射极基极电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装等效（单部分）dta143z / dtc143z储存温度（最低）[°C]-55
Image: EMD2 EMD2 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性npn + pnp电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.1输入电阻R1 1 [kΩ]22.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]22.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]22.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]22.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装等效（单部分）dta124e / dtc124e储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMD12 EMD12 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性npn + pnp电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.1输入电阻R1 1 [kΩ]47.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]47.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装等效（单部分）dta144e / dtc144e储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMB75 EMB75 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]4.7发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]4.7发射极基极电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装输出电流[A]-0.1等效（单部分）dta43z储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMB61 EMB61 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]10.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]10.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]10.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装输出电流[A]-0.05等效（单部分）dta014e储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMB60 EMB60 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装输出电流[A]-0.1等效（单部分）dta023j储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMB59 EMB59 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]10.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]10.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装输出电流[A]-0.07等效（单部分）dta014y储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMB53 EMB53 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 型号| emb53t2r 状态| 推荐品 封装| emt6 包装数量| 8000 最小独立包装数量| 8000 包装形态| 编带 rohs | 是 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]4.7电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]4.7功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装输出电流[A]0.5等效（单部分）dta043t储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMB52 EMB52 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]47.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]47.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装输出电流[A]-0.03等效（单部分）dta044e储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: EMB51 EMB51 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-563jeita套餐SC-107c包装尺寸[mm]1.6x1.6（t = 0.5）端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]22.0发射极基极电阻R2 1 [kΩ]22.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]22.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]22.0功耗（PD）[W]0.15安装方式表面贴装输出电流[A]-0.03等效（单部分）dta024e储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTC143ZCA DTC143ZCA Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，可实现负偏置 输入的 它们还具有完全消除寄生效应的优势。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dta143zca
Image: DTC143XU3 DTC143XU3 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 内置偏置电阻 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器就可以配置逆变器电路。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dta143x系列
Image: DTC143XCA DTC143XCA Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻R 1 =4.7kΩ，R 2 =10kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dta143xca
Image: DTC143TU3 DTC143TU3 Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器就可以配置逆变器电路。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dta143t系列
Image: DTC143TCA DTC143TCA Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dta143tca
Image: DTC143EUB DTC143EUB Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻，R 1 = R 2 =4.7kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dta143e系列
Image: DTC144EU3HZG DTC144EU3HZG Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻，R1 = R2 =47kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可配置逆变器电路（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dta144eu3hzg

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