关键词cdm
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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AMC1304M05-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 瞬态抗扰度：15kv/µs（最小值） 高电磁场抗扰度 （请参见应用手册 slla181a） 5mhz 至 20mhz 外部时钟输入 18v 片载低压降 (ldo) 稳压器 | |
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AMC1304L25-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-Q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv cmos 或 lvds 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±100µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） | |
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AMC1305L25-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 汽车电子 应用认证 具有符合 aec-q100 的下列结果： 温度等级 1：-40°C 至 +125°C 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 与以下器件引脚兼容的系列： 输入电压范围为 ±50mv 或 ±250mv 互补金属氧化物半导体 (cmos) 或低压差分信令 (lvds) 数字接口选项 出色的直流性能： 偏移误差：±50µV 或 ±150µV（最大值） 偏移漂移：1.3µV/°C（最大值） 增益误差：±0.3%（最大值） 增益漂移：±40ppm/°C（最大值） 安全相关认证： 7000 vpk 增强型隔离，符合 din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10): 2006-12 标准 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000 vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 | |
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AMC1211-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 符合汽车类应用的 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C6 2V 高阻抗输入电压范围，针对隔离式电压测量进行优化 低失调误差和温漂： ±1.5mv（最大值），±15µV/°C（最大值） 固定增益：1 极低增益误差和温漂： ±0.3%（最大值），±45ppm/°C（最大值） 低非线性和温漂：0.01%，1ppm/°C（典型值） 高侧 3.3V 运行电压 高侧电源缺失指示 安全相关认证： 符合 din V vde V 0884-11 (vde V 0884-11): 2017-01 标准的 4250vpk 基础型隔离 符合 ul1577 标准且长达 1 分钟的 4250vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 | |
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AMC1311-Q1 | Texas Instruments | 半导体 隔离器 | 符合汽车类应用的 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C6 2V 高阻抗输入电压范围，针对隔离式电压测量进行优化 低失调误差和温漂： amc1311B-Q1：±1.5mv（最大值），±15µV/°C（最大值） amc1311-Q1：±9.9mv（最大值），±20µV/°C（典型值） 固定增益：1 极低增益误差和温漂： amc1311B-Q1：±0.3%（最大值），±45ppm/°C（最大值） amc1311-Q1：±1%（最大值），±30ppm/°C（典型值） 低非线性和温漂：0.01%，1ppm/°C（典型值） 高侧 3.3V 运行电压 (amc1311B-Q1) 高侧电源缺失指示 安全相关认证： 符合 din V vde V 0884-11 (vde V 0884-11): 2017-01 标准的 7000 vpk 增强型隔离 符合 ul1577 标准且长达 1 分钟的 5000vrms 隔离 can/csa No. 5A 组件验收服务通知 | |
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D6HH1G960BH95-Z | Taiyo Yuden | |
无源元器件 信号调节 | signal conditioning fbar dplxr W-cdma II cdma2000 bc1 2520bal |
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FAR-D6NH-1G9600-M1Z6... | Taiyo Yuden | |
无源元器件 信号调节 | signal conditioning saw dplxr W-cdma II cdma2000 bc1 2520 SE |
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D6NF1G960P1BR-Z | Taiyo Yuden | |
无源元器件 信号调节 | signal conditioning saw dplxr W-cdma II cdma2000 bc1 2520bal |
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SKY74067-21 | Skyworks Solutions Inc. | dual-Band cdma2000 transmitter for cellular cdma and pcs femtocell applications | ||
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RMPA1967 | Fairchild Semiconductor | US-pcs cdma, cdma2000-1X and wdcma power edge? power amplifier module | ||
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RMPA0963 | Fairchild Semiconductor | cellular cdma, cdma2000-1X and Wcdma power amplifier module | ||
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RMPA1963 | Fairchild Semiconductor | US-pcs cdma, cdma2000-1X and Wcdma power amplifier module | ||
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ITM1010EV45 | ETC | cdma cellular/cdma450 receiver RF front-end IC | ||
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ITM1010 | ETC | cdma cellular/cdma450 receiver RF front-end IC | ||
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ITM1010EV | ETC | cdma cellular/cdma450 receiver RF front-end IC | ||
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ITM1010TR | ETC | cdma cellular/cdma450 receiver RF front-end IC | ||
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RMPA1765_06 | Fairchild Semiconductor | K-pcs, cdma, cdma2000-1X and Wcdma power edge power amplifier module | ||
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RMPA1965_06 | Fairchild Semiconductor | US-pcs cdma, cdma2000-1X and Wcdma powerEdge TM power amplifier module | ||
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RMPA0966 | Fairchild Semiconductor | cellular cdma, cdma2000-1X and Wcdma power amplifier module | ||
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RMPA0967_06 | Fairchild Semiconductor | cellular cdma, cdma2000-1X and Wcdma power edg TM power amplifier module |
