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Image: FMA2A FMA2A Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-25jeita套餐SC-74a包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数5极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]47.0发射极基极电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]47.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗（PD）[W]0.3安装方式表面贴装等效（单部分）dta144e / dta144e储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: FMA1A FMA1A Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-25jeita套餐SC-74a包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数5极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io（Ic）[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]22.0发射极基极电阻R2 1 [kΩ]22.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]22.0发射极基极电阻R2 2 [kΩ]22.0功耗（PD）[W]0.3安装方式表面贴装等效（单部分）dta124e / dta124e储存温度（最低）[°C]-55
Image: DTD143EK DTD143EK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]4.7发射极基极电阻R2 1 [kΩ]4.7功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎47至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTD123YK DTD123YK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 1 [kΩ]10.0功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎56至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTD123YC DTD123YC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 1 [kΩ]10.0集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特点： 1）内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可配置逆变器电路（请参阅等效电路） 2）偏置电阻由完全隔离以允许负极的薄膜电阻组成 输入的偏差。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优势。 3）只需设置开/关条件即可操作，使设备的设计变得容易。
Image: DTD123TK DTD123TK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]40.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2集电极-发射极电压vceo1 [V]40.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎100至600输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特
Image: DTD123TC DTD123TC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特点： 内置偏置电阻，R 1 =2.2kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 3）只需设置开/关条件即可操作，使设备的设计变得容易。 互补pnp类型：dtb123tc
Image: DTD123EK DTD123EK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 1 [kΩ]2.2功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎39至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTD123EC DTD123EC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 1 [kΩ]2.2集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特点： 1）内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可配置逆变器电路（请参阅等效电路） 2）偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，以允许输入产生负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优势。 3）只需设置开/关条件即可操作，使设备的设计变得容易。
Image: DTD114GK DTD114GK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5发射极基极电阻R2 1 [kΩ]10.0集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎56至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTD114GC DTD114GC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5发射极基极电阻R2 1 [kΩ]10.0集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTD114EK DTD114EK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]10.0发射极基极电阻R2 1 [kΩ]10.0功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎56至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTD114EC DTD114EC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]10.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特点： 内置偏置电阻，R 1 = R 2 =10kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dtb114ec
Image: DTD113ZK DTD113ZK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]1.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎56至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTD113ZC DTD113ZC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]1.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特点： 内置偏置电阻R 1 =1kΩ，R 2 =10kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dtb113zc
Image: DTD113EK DTD113EK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]1.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]1.0功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎33至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTD113EC DTD113EC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]1.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]1.0集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特点： 1）内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可配置逆变器电路（请参阅等效电路） 2）偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，以允许输入产生负偏置。他们也有优势 　几乎完全消除了寄生效应。 3）只需设置开/关条件即可操作，使设备的设计变得容易。
Image: DTC643TK DTC643TK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]20.0集电极电流Io（Ic）[A]0.6输入电阻R1 1 [kΩ]4.7集电极-发射极电压vceo1 [V]20.0集电极电流Io（Ic）[A]0.6功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎820至2700输出电流[A]0.6储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: DTC623TK DTC623TK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]20.0集电极电流Io（Ic）[A]0.6输入电阻R1 1 [kΩ]2.2集电极-发射极电压vceo1 [V]20.0集电极电流Io（Ic）[A]0.6功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎820至2700输出电流[A]0.6储存温度（最低）[°C]-55
Image: DTC623TK DTC623TK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]20.0集电极电流Io（Ic）[A]0.6输入电阻R1 1 [kΩ]2.2集电极-发射极电压vceo1 [V]20.0集电极电流Io（Ic）[A]0.6功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎820至2700输出电流[A]0.6储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150

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