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FQU2N90TU_AM002 |
Fairchild Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
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mosfet 900v 1.6A 7.8ohm N-channel |
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FQA9N90_F109 |
Fairchild Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
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mosfet 900v N-channel qfet |
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IRFBF20STRRPBF |
Vishay Siliconix |
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半导体
分离式半导体
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mosfet N-chan 900v 1.7 amp |
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STF9NK90Z |
STMicroelectronics |
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半导体
分离式半导体
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mosfet N-Ch, 900v-1.1ohms zener supermesh 8A |
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IPP90R1K2C3 |
Infineon Technologies |
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半导体
分离式半导体
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mosFET cool mos pwr trans 900v |
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FQI4N90TU |
Fairchild Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
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mosfet 900v N-channel qfet |
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IRFBF30SPBF |
Vishay Siliconix |
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半导体
分离式半导体
|
mosfet N-chan 900v 1.7 amp |
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CMF03(TE12L,Q,M) |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
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diodes - general purpose, power, switching 900v 1A M-flat |
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CMF04(TE12L,Q,M) |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
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diodes - general purpose, power, switching 900v 0.5A M-flat |
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IXYY8N90C3 |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
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igbt transistors 900v 8A 2.5V xpt igbts genx3 |
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IXYA8N90C3D1 |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
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igbt transistors 900v 8A 2.5V xpt igbts genx3 w/ diode |
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IXYH24N90C3D1 |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
|
igbt transistors 900v 24a 2.7V xpt igbts genx3 w/ diode |
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IXGH50N90B2 |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
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igbt transistors 50 amps 900v 2.7 rds |
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IXYH60N90C3 |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
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igbt transistors 900v 60a 2.7V xpt igbt genx3 |
|
IXYN80N90C3H1 |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
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igbt modules 900v 70a 2.7V xpt igbts genx3 w/ diode |
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TK7J90E,S1E |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
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mosFET pln mos 900v 2000m (vgs=10v) TO-3pn |
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TK9J90E,S1E |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
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mosFET pln mos 900v 1300m (vgs=10v) TO-3pn |
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TK9A90E,S4X |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
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mosFET pln mos 900v 1300m (vgs=10v) TO-220sis |
|
TK7A90E,S4X |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
|
mosFET pln mos 900v 2000m (vgs=10v) TO-220sis |
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2SK3017(F) |
Toshiba |
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半导体
分离式半导体
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mosfet mosfet N-Ch 900v 8.5A rdson 1.25 ohm |