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Image:             IRSM515-055DA IRSM515-055DA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 cipos公司™ micro 500 V,1.7Ω三相mosfet智能功率模块,在sop 29x12f封装中具有开源,通过优化功能和紧凑封装模块,为低电机驱动应用(包括小家电、低功耗工业驱动器等)提供高成本效率。 特征描述 基于低rds(on)沟fredfet 欠压闭锁 所有信道的匹配传播延迟 与高级输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器耐受负瞬态电压(-Vs) 10khz时电机额定功率高达85w
Image:               IRSM515-065PA IRSM515-065PA Infineon Technologies 机电产品 电机驱动器板,模块 ciposmicro 基于500 V,1.3Ω的三相mosfet 智能电源模块 采用sop 29x12f封装的开放源代码,通过优化的功能和紧凑的封装模块为低电机驱动应用(包括小型家用电器,低功率工业驱动器等)提供了高成本效益。 特征描述 基于低R DS(on)沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与先进的输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压(-Vs) 电机额定功率在10khz时高达85w UL认证 优势 旨在提高系统效率 高度集成,可简化设计并节省系统空间 通过各种封装选项的灵活设计能力
Image:               IRSM515-065DA IRSM515-065DA Infineon Technologies 机电产品 电机驱动器板,模块 ciposmicro 基于500 V,1.3Ω的三相mosfet 智能电源模块 采用dip 29x12f封装的开放源代码,通过优化的功能和紧凑的封装模块为小型电机驱动应用(包括小型家用电器,低功率工业驱动器等)提供高成本效益。 特征描述 基于低R DS(on)沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与先进的输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压(-Vs) 电机额定功率在10khz时高达85w UL认证 优势 旨在提高系统效率 高度集成,可简化设计并节省系统空间 通过各种封装选项的灵活设计能力
Image:                 IRSM505-055PA IRSM505-055PA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 基于低R DS(on)沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与先进的输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压(-Vs) 电机额定功率在10khz时高达85w 内置温度传感器 UL认证 优势 旨在提高系统效率 高度集成,可简化设计并节省系统空间 通过各种封装选项的灵活设计能力
Image:               IRSM505-055PA IRSM505-055PA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 基于低R DS(on)沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与先进的输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压(-Vs) 电机额定功率在10khz时高达85w 内置温度传感器 UL认证 优势 旨在提高系统效率 高度集成,可简化设计并节省系统空间 通过各种封装选项的灵活设计能力
Image:               IRSM505-055DA IRSM505-055DA Infineon Technologies 半导体 功率驱动器 - 模块 基于低R DS(on)沟道fredfet 集成的引导程序功能 欠压锁定 所有通道的匹配传播延迟 与先进的输入滤波器兼容的3.3V逻辑 驱动器可承受负瞬态电压(-Vs) 电机额定功率在10khz时高达85w 内置温度传感器 UL认证 优势 旨在提高系统效率 高度集成,可简化设计并节省系统空间 通过各种封装选项的灵活设计能力