关键词849
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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: CHP0230-PM CHP0230-PM ETC 824 to 849 mhz 28.5 dbm, cellular ingap hbt amplifier module
Image: CHP0230-PM-0000 CHP0230-PM-0000 ETC 824 to 849 mhz 28.5 dbm, cellular ingap hbt amplifier module
Image: CHP0230-PM-000T CHP0230-PM-000T ETC 824 to 849 mhz 28.5 dbm, cellular ingap hbt amplifier module
Image: MHW927A MHW927A Motorola, Inc 6.0 W 824 to 849 mhz RF linear power amplifiers
Image: MHW927B MHW927B Motorola, Inc 6.0 W 824 to 849 mhz RF linear power amplifiers
Image: RM912 RM912 Conexant Systems, Inc cdma/amps 3-4 volt power amplifier (824?849 mhz)
Image: MLS9102-00837 MLS9102-00837 Tyco Electronics surface mount frequency synthesizer cdma 824 - 849 mhz
Image: MAAPSS0006 MAAPSS0006 Tyco Electronics cellular cdma/amps power amplifier 824 - 849 mhz
Image: MAAPSS0006RTR MAAPSS0006RTR Tyco Electronics cellular cdma/amps power amplifier 824 - 849 mhz
Image:          ADuM4137 ADuM4137 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 4 A 峰值电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压 4.5 V 至 35 V 输出电源电压 uvlo vdd1 时,正向阈值2.5 V (最大值) vddavddb 正向阀值上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级:4.5 V (最大值) B 级:7.5 V (最大值) C 级:11.6 V (最大值) 精准时序特性 44 ns 最大传播延迟 可调停滞时间 cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:150 kV/µs 高工作结温:125°C 默认低电平输出 安全和监管审批(申请中) UL 认证:符合 UL 1577 5700 V rms 持续 1 分钟 csa 元件验收通知 5A(申请中) vde 符合性证书(申请中) din V vde V 0884-11 viorm = 849 V 峰值 爬电距离增加的宽体 16 引脚 soic_ic
Image:           ADuM4122 ADuM4122 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 每个输出引脚 2 A 输出电流 (<3 Ω rdson_x) 3 A 峰值短路电流 3.3 V 至 6.5 V、vdd1 4.5 V 至 35 V、vdd2 正向阈值,uvlo(3.3 V vdd1 时) vdd2 上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级:4.4 V(典型值)正向阈值,uvlo B 级:7.3 V(典型值)正向阈值,uvlo C 级:11.3 V(典型值)正向阈值,uvlo 精准定时特性 下降缘传播延迟最大 48 ns cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:>150 kV/µs 高工作结温:125°C 默认低电平输出 可选择的压摆率控制 安全和监管审批(申请中) UL 认证:符合 UL 1577 5 kV rms 持续 1 分钟 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书(申请中) din V vde V 0884-10 viorm = 849 V 峰值 8 引脚宽体 soic_ic 封装
Image:            ADuM4138 ADuM4138 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 6 A 峰值驱动输出能力(典型值) 内部关闭 nfet,导通电阻:<1 Ω 内部打开 pfet,导通电阻:<1.2 Ω 2 种过流保护方法 去饱和检测 分裂式发射器过流保护 具有栅极感应输入的米勒箝位输出 隔离式故障输出 隔离式温度传感器回读 传播延迟 上升:95 ns(典型值) 下降:100 ns(典型值) 最小脉冲宽度:74 ns 工作结温范围:−40°C 至 +150°C vdd1vdd2 uvlo 最小外部跟踪(爬电距离):8.3 mm(待定) 安全和监管审批 5000 V rms 持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准 csa 元件验收通知 5A din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 vpeak(增强/基本) 符合汽车应用要求
Image:             ADuM4120-1 ADuM4120-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V(典型值)正向阈值 B 级—7.3 V(典型值)正向阈值 C 级—11.3 V(典型值)正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:150 kV/μs 高工作结温:125°C 默认低电平输出 安全和监管审批(申请中) UL 认证:符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rmssoic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装,爬电距离更长
Image:           ADuM4120 ADuM4120 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V(典型值)正向阈值 B 级—7.3 V(典型值)正向阈值 C 级—11.3 V(典型值)正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:150 kV/μs 高工作结温:125°C 默认低电平输出 安全和监管审批(申请中) UL 认证:符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rmssoic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装,爬电距离更长
Image:            ADuM4121-1 ADuM4121-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流:2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo):2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级:vdd2上的uvlo:4.4 V(典型值) B级:vdd2上的uvlo:7.3 V(典型值) C级:vdd2上的uvlo:11.3 V(典型值) 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟:53 ns(最大值) cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:>150 kV/µs 工作结温最高可达:125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证(申请中) UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rmssoic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image:            ADuM4121 ADuM4121 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流:2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo):2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级:vdd2上的uvlo:4.4 V(典型值) B级:vdd2上的uvlo:7.3 V(典型值) C级:vdd2上的uvlo:11.3 V(典型值) 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟:53 ns(最大值) cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:>150 kV/µs 工作结温最高可达:125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证(申请中) UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rmssoic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image:            ADUM4135 ADUM4135 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 优势和特点 产品详情 4A峰值驱动输出能力 输出功率器件电阻:<1 Ω 去饱和保护n 隔离的去饱和故障报告 故障时软关断 带栅极检测输入的米勒箝位输出 隔离故障和就绪功能 低传播延迟:55 ns(典型值) 最小脉冲宽度:50 ns 工作温度范围:−40°C至+125°C 输出电压范围至30v 输入电压范围:2.3 V至6 V 输出和输入欠压闭锁(uvlo) 爬电距离:7.8 mm(最小值)/li> 共模瞬变抗扰度(cmti):100 kV/µs 600 V rms1092 V直流工作电压时寿命可达20年 安全和法规认证 1分钟5 kV AC,符合UL 1577 csa元件验收通知5A din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm= 849 V峰值(强化/基本)
Image:             ADuM4121-1 ADuM4121-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 峰值输出电流:2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo):2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级:vdd2上的uvlo:4.4 V(典型值) B级:vdd2上的uvlo:7.3 V(典型值) C级:vdd2上的uvlo:11.3 V(典型值) 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟:53 ns(最大值) cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:>150 kV/µs 工作结温最高可达:125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证(申请中) UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rmssoic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装
Image:            ADuM4120 ADuM4120 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V(典型值)正向阈值 B 级—7.3 V(典型值)正向阈值 C 级—11.3 V(典型值)正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:150 kV/μs 高工作结温:125°C 默认低电平输出 安全和监管审批(申请中) UL 认证:符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rmssoic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装,爬电距离更长
Image:            ADuM4120-1 ADuM4120-1 Analog Devices Inc 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V(典型值)正向阈值 B 级—7.3 V(典型值)正向阈值 C 级—11.3 V(典型值)正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度:150 kV/μs 高工作结温:125°C 默认低电平输出 安全和监管审批(申请中) UL 认证:符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rmssoic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书(申请中) din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装,爬电距离更长