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Image: HM69-20R050LFTR13 HM69-20R050LFTR13 TT Electronics/BI 无源元器件 固定值电感器 inductor LO prof 50nh smd
Image: BAR64V-05W-GS08 BAR64V-05W-GS08 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 pin 二极管 100 volt 100mA 50na IR @ 50v
Image: BAR64V-04W-GS08 BAR64V-04W-GS08 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 pin 二极管 100 volt 100mA 50na IR @ 50v
Image: ILHB1206RK500V ILHB1206RK500V Vishay Dale 无源元器件 EMI/RFI 器件 emi/rfi 抑制器及铁氧体 50nh 25%
Image: SDR405 SDR405 Solid States Devices, Inc 50 amp 50-150 volts 50nsec ultra fast rectifier
Image: SDR407 SDR407 Solid States Devices, Inc 50 amp 50-150 volts 50nsec ultra fast rectifier
Image: SDR410 SDR410 Solid States Devices, Inc 50 amp 50-150 volts 50nsec ultra fast rectifier
Image: SDR412 SDR412 Solid States Devices, Inc 50 amp 50-150 volts 50nsec ultra fast rectifier
Image: SDR415 SDR415 Solid States Devices, Inc 50 amp 50-150 volts 50nsec ultra fast rectifier
Image: SN65HVD233 SN65HVD233 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36v 总线引脚 esd 保护大于 ±16kv hbm 符合 iso 11898-2 标准 符合 gift/ict 标准 数据速率高达 1mbps 扩展级共模范围：–7V 至 12v 高输入阻抗支持 120 个节点 lvttl I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式，200µA（典型值） sn65hvd233：环回模式 sn65hvd234：超低电流休眠模式 50na 典型电流消耗 sn65hvd235：自动波特环回模式 热关断保护 加电和断电时总线输入和输出上无干扰 具有低 vcc 的高输入阻抗 功率循环过程中单片输出 all trademarks are the property of their respective owners. 部分显示
Image: SN65HVD234 SN65HVD234 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36v 总线引脚 esd 保护大于 ±16kv hbm 符合 iso 11898-2 标准 符合 gift/ict 标准 数据速率高达 1mbps 扩展级共模范围：–7V 至 12v 高输入阻抗支持 120 个节点 lvttl I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式，200µA（典型值） sn65hvd233：环回模式 sn65hvd234：超低电流休眠模式 50na 典型电流消耗
Image: SN65HVD235 SN65HVD235 Texas Instruments 光电子 光纤 - 收发器 3.3V 单电源电压 总线引脚故障保护大于 ±36v 总线引脚 esd 保护大于 ±16kv hbm 符合 iso 11898-2 标准 符合 gift/ict 标准 数据速率高达 1mbps 扩展级共模范围：–7V 至 12v 高输入阻抗支持 120 个节点 lvttl I/O 可承受 5V 的电压 可调节的驱动器转换时间，能够改善辐射性能 未供电节点不会干扰总线 低电流待机模式，200µA（典型值） sn65hvd233：环回模式 sn65hvd234：超低电流休眠模式 50na 典型电流消耗 sn65hvd235：自动波特环回模式 热关断保护
Image: MAX44284 MAX44284 Maxim Integrated 传感器，变送器 放大器 主要特征 支持使用小检流电阻，提高电源转换效率和测量精度 80na (最大)输入偏置电流 2µV极低输入失调电压(max44284f/H) 50nv/°C极低输入失调温度系数 -0.1V至+36v宽输入共模范围 0.05%低增益误差 延长电池寿命 21µA低电源电流 1.7V至5.5V单电源 关断输入(独立于vdd) 四种增益选项简化设计 50v/V – max44284f 100v/V – max44284h 200v/V – max44284w 500v/V – max44284e 应用/用途 基站 电源管理中的DC-DC电流检测 医用脉搏血氧仪和输液泵 笔记本电脑 便携式/电池供电系统 智能手机和平板电脑
Image: MURS360-E3/57T MURS360-E3/57T Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 3.0 amp 600v 50ns
Image: EGL34D-E3/98 EGL34D-E3/98 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 0.5amp 200 volt 50ns
Image: MURF2080CT C0 MURF2080CT C0 Taiwan Semiconductor 半导体 分离式半导体 rectifiers 20a 80v 50ns gls pas switchmode pwr rec
Image: MURS360-E3/9AT MURS360-E3/9AT Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 600 volt 3.0A 50ns 125 amp ifsm
Image: HER201-B HER201-B Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 2A 50v 50ns
Image: HER301-B HER301-B Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 3A 50v 50ns
Image: HER305-B HER305-B Rectron 半导体 分离式半导体 rectifiers 3A 400v 50ns

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