关键词363
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
---|---|---|---|---|---|
UMD22NFHA | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sot-363jeita套餐SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.9)端子数6极性npn + pnp电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io(Ic)[A]0.1输入电阻R1 1 [kΩ]4.7发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]4.7发射极基准电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗(PD)[W]0.15安装方式表面贴装 | ||
UMD12NFHA | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sot-363jeita套餐SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.9)端子数6极性npn + pnp电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io(Ic)[A]0.1输入电阻R1 1 [kΩ]47.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]47.0发射极基准电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗(PD)[W]0.15 | ||
UMB4NFHA | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sot-363jeita套餐SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.9)端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io(Ic)[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]10.0输入电阻R1 2 [kΩ]10.0集电极-发射极电压vceo1 [V]-50.0集电极电流Io(Ic)[A]-0.1集电极-发射极电压vceo2 [V]-50.0集电极电流(连续)ic2 [A]-0.1功耗(PD)[W]0.15 | ||
UMB3NFHA | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sot-363jeita套餐SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.9)端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io(Ic)[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]4.7输入电阻R1 2 [kΩ]4.7集电极-发射极电压vceo1 [V]-50.0集电极电流Io(Ic)[A]-0.1集电极-发射极电压vceo2 [V]-50.0集电极电流(连续)ic2 [A]-0.1功耗(PD)[W]0.15安装方式表面贴装等效(单部分)dta143t / dta143t储存温度(最低)[°C]-55储存 | ||
UMB2NFHA | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sot-363jeita套餐SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.9)端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io(Ic)[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]47.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]47.0发射极基准电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗(PD)[W]0.15安装方式表面贴装 | ||
UMB11NFHA | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sot-363jeita套餐SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.9)端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io(Ic)[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]10.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]10.0发射极基准电阻R2 2 [kΩ]10.0功耗(PD)[W]0.15安装方式表面贴装 | ||
UMB10NFHA | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sot-363jeita套餐SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.9)端子数6极性pnp + pnp电源电压vcc 1 [V]-50.0集电极电流Io(Ic)[A]-0.1输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基准电阻R2 1 [kΩ]47.0电源电压vcc 2 [V]-50.0集电极电流IC 2 [A]-0.1输入电阻R1 2 [kΩ]2.2发射极基准电阻R2 2 [kΩ]47.0功耗(PD)[W]0.15安装方式表面贴装等效(单部分)dta123j / dta123j储存温度(最低)[°C]-55 | ||
BAV99BRW-7-F | Diodes Incorporated | 半导体 分离式半导体 | diodes - general purpose, power, switching diode sml sgnl sot-363 200mw 75v | ||
UM6K1NTN | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | mosfet 2N-CH 30v .1A sot-363 | ||
LMN200B02-7 | Diodes Incorporated | 半导体 分离式半导体 | transistors bipolar - bjt array transistor sot-363 | ||
BAS70JW-7-F | Diodes Incorporated | 半导体 分离式半导体 | schottky diodes & rectifiers schottky diode sot-363 200mw 70v | ||
UMT1NTN | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | transistors bipolar - bjt dual pnp 50v 150ma sot-363 | ||
UMZ1NTR | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | transistors bipolar - bjt npn/pnp 50v 150ma sot-363 | ||
UMH10NTN | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | transistors switching - resistor biased dual npn 50v 100ma sot-363 | ||
UMH4NTN | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | transistors switching - resistor biased dual npn 50v 100ma sot-363 | ||
UMH11NTN | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | transistors switching - resistor biased dual npn 50v 50ma sot-363 | ||
UM5K1NTR | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | mosfet 2N-CH 30v .1A sot-363 | ||
UMX3NTR | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | transistors bipolar - bjt dual npn 50v 150ma sot-363 | ||
UMH3NTN | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | transistors switching - resistor biased dual npn 50v 100ma sot-363 | ||
UMH9NTN | Rohm Semiconductor | 半导体 分离式半导体 | transistors switching - resistor biased dual npn 50v 70ma sot-363 |