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Image: ISL6443 ISL6443 Intersil Corporation 半导体 300khz dual, 180 degree out-of-phase, step-down pwm and single linear controller
Image: MAX151 MAX151 Maxim Integrated 嵌入式解决方案 300khz 10-bit A/D converter with refrence and T/H
Image: ISL6402 ISL6402 Intersil Corporation 集成电路 300khz dual, 180 degree out-of-phase, step-down pwm and single linear controller
Image: ISL6440 ISL6440 Intersil Corporation 集成电路 300khz dual, 180 degree out-of-phase, step-down pwm controller
Image: ST735SC ST735SC STMicroelectronics 集成电路 300khz -5V/adj inverting. negative output current mode pwm regulator
Image: ST735TC ST735TC STMicroelectronics 300khz -5V/adj inverting. negative output current mode pwm regulator
Image: PQ1CG38M2FZH PQ1CG38M2FZH Sharp Electrionic Components TO-220 type chopper regulator, built-in 300khz oscillation circuit
Image: PQ1CG38M2RZH PQ1CG38M2RZH Sharp Electrionic Components TO-220 type chopper regulator, built-in 300khz oscillation circuit
Image: PQ1CZ41H2ZXH PQ1CZ41H2ZXH Sharp Electrionic Components TO-220 type chopper regulator, built-in 300khz oscillation circuit
Image: TS3003 TS3003 Silicon Laboratories Inc 集成电路 时钟/计时 - 可编程计时器和振荡器 1.55v to 5.25v, 1.9µA, 9khz to 300khz silicon timer
Image: TS3006 TS3006 Silicon Laboratories Inc 集成电路 时钟/计时 - 可编程计时器和振荡器 1.55v to 5.25v, 1.9µA, 9khz to 300khz silicon timer
Image: LTC4267-3 LTC4267-3 Analog Devices Inc 半导体 接口 用于 ieee 802®.3af 受电设备 (PD) 的完整电源接口端口 内置 100v、uvlo 开关 300khz 恒定频率运作 精准的双级浪涌电流限值 集成型电流模式开关稳压器 具停用功能的内置 25k 特征电阻器 可编程分级电流 (class 0 至 4) 热过载保护 电源良好信号 集成型误差放大器和电压基准 扁平 16 引脚 ssop 封装或 dfn 封装
Image: LTC4267-1 LTC4267-1 Analog Devices Inc 半导体 接口 用于 ieee 802®.3af 受电设备 (PD) 的完整电源接口端口 内置 100v、uvlo 开关 300khz 恒定频率运作 精准的双级浪涌电流限值 集成型电流模式开关稳压器 具停用功能的内置 25k 特征电阻器 可编程分级电流 (class 0 至 4) 热过载保护 电源良好信号 集成型误差放大器和电压基准 扁平 16 引脚 ssop 封装或 dfn 封装
Image: AP3585C AP3585C Diodes Incorporated 半导体 微控制器 电源电压：4.5V至13.2V V IN输入范围：3.3V至12v 0.8V / 0.6V至V IN输出范围的80％ 内部基准：0.8V / 0.6V 简单的单回路控制 电压模式pwm控制 占空比：0％至80％ 快速瞬态响应 具有6V /μs压摆率的10mhz高带宽误差放大器 固定振荡器频率：300khz / 200khz 无损可编程过流保护（使用较低的mosfet R DS（ON）） 启动进入预偏置负载 内置热关断 内置软启动 过流保护 过压保护 欠压保护 集成启动二极管 完全无铅且完全符合rohs 不含卤素和锑。“绿色”设备
Image: AP3585B AP3585B Diodes Incorporated 半导体 微控制器 电源电压：4.5V至13.2V V IN输入范围：3.3V至12v 0.8V / 0.6V至vin输出范围的80％ 内部基准：0.8V / 0.6V 简单的单回路控制 电压模式pwm控制 占空比：0％至80％ 快速瞬态响应 具有6V /μs压摆率的10mhz高带宽误差放大器 固定振荡器频率：300khz / 200khz 无损可编程过流保护（使用较低的mosfet R DS（ON）） 启动进入预偏置负载 内置热关断 内置软启动 过流保护 过压保护 欠压保护 集成启动二极管 完全无铅且完全符合rohs 不含卤素和锑。“绿色”设备
Image: AP3585A AP3585A Diodes Incorporated 半导体 微控制器 电源电压：4.5V至13.2V vin输入范围：3.3V至12v 0.8V / 0.6V至V IN输出范围的80％ 内部基准：0.8V / 0.6V 简单的单回路控制 电压模式pwm控制 占空比：0％至80％ 快速瞬态响应 具有6V /μs压摆率的10mhz高带宽误差放大器 固定振荡器频率：300khz / 200khz 无损可编程过流保护（使用较低的mosfet R DS（ON）） 启动进入预偏置负载 内置热关断 内置软启动 过流保护 过压保护 欠压保护 集成启动二极管 完全无铅且完全符合rohs 不含卤素和锑。“绿色”设备
Image: AP3583A AP3583A Diodes Incorporated 半导体 微控制器 ap3583 / A是一款简单的单相同步降压控制器。它采用5V或12v电源电压工作，可提供低至0.6V的高质量输出电压。该器件以固定的200khz（ap3583）或300khz（ap3583A）频率工作，并在效率，外部组件尺寸和成本之间实现了最佳折衷。借助集成的线性稳压器自举二极管和N沟道mosfet栅极驱动器，ap3583 / A可以减少外部组件数量和电路板空间要求。ap3583 / A支持跟踪模式和独立模式操作。在跟踪模式下，输出电压被严格调节为0.4V至3V的外部基准电压，而在独立模式下，其内部基准电压则为0.6V。其他功能包括内部软启动，欠压保护，过流保护和关机功能。具有上述功能，该部分为客户提供了紧凑，高效，保护良好且具有成本效益的解决方案。ap3583 / A采用psop-8封装。
Image: UC2950 UC2950 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 源或汇4.0A 电源电压为35v 大电流输出二极管 三态运行 ttl和cmos输入兼容性 过温度保护 300khz操作 低成本TO-220套餐
Image: AS89000 AS89000 ams 半导体 接口 特征 四通道电阻跨阻放大器 可编程8级-25 kΩ至20 MΩ，25 nA至20μA，6至300 khz 输入容量综合补偿 利用通道4实现片上温度补偿 掉电模式 输出模拟电压值 好处 电流输出传感器的信号调节 在每个固件的8个阶段中调整跨阻 适用于6至300khz范围内的信号频率 cob-安装和smd 低功耗

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