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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: MAX9988EGP MAX9988EGP Maxim Integrated +14dbm to +20dbm LO buffers/splitters with ??1db variation
Image: MAX2245 MAX2245 Maxim Integrated 2.5ghz.22dbm/20dbm power amplifiers with analog closed-loop power control
Image: MAX9987 MAX9987 Maxim Integrated 半导体 +14dbm to +20dbm LO buffers/splitters with &#177.1db variation
Image: MAX9988 MAX9988 Maxim Integrated 半导体 +14dbm to +20dbm LO buffers/splitters with &#177.1db variation
Image: MAX9989 MAX9989 Maxim Integrated 半导体 +14dbm to +20dbm LO buffers with &#177.1db variation
Image: MAX9990 MAX9990 Maxim Integrated 半导体 +14dbm to +20dbm LO buffers with &#177.1db variation
Image: ADL8104 ADL8104 Analog Devices Inc 半导体 接口 adl8104是砷化镓（gaas）、单片微波集成电路（mmic）、假象高电子迁移率晶体管（phemt）、低噪声、宽带、高线性放大器，工作范围从0.4 ghz到7.5 ghz。 adl8104在0.6ghz到6ghz时提供了15db的典型增益，在0.4ghz到6ghz时提供了3.5db的典型噪声系数，在0.6ghz到6ghz的1db压缩（OP1db）下提供了20dbm的典型输出功率，在0.6ghz到6ghz时提供了32dbm的典型输出三阶截距（oip3），5V漏极电源电压仅需150ma。低噪声放大器具有52 dbm的高输出二阶截距（oip2），通常在0.6 ghz至6 ghz之间，使adl8104适用于军事和测试仪器应用。 adl8104还具有内部匹配到50Ω的输入和输出。rfin和rfout引脚是内部交流耦合的，偏置电感也是集成的，这使得adl8104非常适合基于表面贴装技术（smt）的高密度应用。 adl8104采用符合rohs标准的3 mm×3 mm 16引线lfcsp封装。
Image: STAC2932FW STAC2932FW STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosFET 300w 50v RF mos 20db 175mhz N-Ch
Image: SD2933W SD2933W STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosFET RF pwr N-Ch mos 300w 20db 30mhz
Image: BLF6H10L-160,112 BLF6H10L-160,112 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 700-1ghz 104v 20db
Image: STAC2933 STAC2933 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosFET 300w 20db 30mhz stac N-Ch mos RF 150mhz
Image: BLF6H10LS-160,112 BLF6H10LS-160,112 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 700-1ghz 104v 20db
Image: BLF8G22LS-200V,112 BLF8G22LS-200V,112 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 2.1ghz 65v 20db
Image: MAAM-009455-TR1000 MAAM-009455-TR1000 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF jfet 50-1000mhz gain 20db NF=5.5db
Image: STAC2932BW STAC2932BW STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors RF mosFET 300w 50v RF mos 20db 175mhz N-Ch
Image: BLF8G22LS-200GV,12 BLF8G22LS-200GV,12 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 2.1ghz 65v 20db
Image: BLF8G22LS-200V,118 BLF8G22LS-200V,118 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 2.1ghz 65v 20db
Image: MAAM-009455-TR3000 MAAM-009455-TR3000 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF jfet 50-1000mhz gain 20db NF=5.5db
Image: BLF6H10LS-160,118 BLF6H10LS-160,118 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 700-1ghz 104v 20db
Image: TQP3M9037 TQP3M9037 TriQuint Semiconductor 半导体 射频半导体 RF amplifier 1.5-2.7ghz NF .4db gain 20db

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