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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image:                TCOB1E156M8R TCOB1E156M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) 特性: 案件乙尺寸[mm](英寸)35281411)表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]25.0120hz时的电容[µF]15.0电容容差[%]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]113.0tanδ25°C在120hz [%] 25°c10.0100kHz时的esr [mΩ]100.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100kHz [marms]921.0工作温度[°C]-55至105
Image:               TCOB1C336M8R TCOB1C336M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) 特性: 案件乙尺寸[mm](英寸)35281411)表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]16.0120hz时的电容[µF]33.0电容容差[%]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]159.0tanδ25°C在120hz [%] 25°c10.0100kHz时的esr [mΩ]100.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100kHz [marms]921.0工作温度[°C]-55至105
Image:               TCOB1A476M8R TCOB1A476M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) 特性: 案件乙尺寸[mm](英寸)35281411)表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]10.0120hz时的电容[µF]47.0电容容差[%]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]47.0tanδ25°C在120hz [%] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]150.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]752.0工作温度[°C]-55至105
Image:               TCOB1A336M8R TCOB1A336M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) 特性: 案件乙尺寸[mm](英寸)35281411)表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]10.0120hz时的电容[µF]33.0电容容差[%]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]33.0tanδ25°C在120hz [%] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]150.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]752.0工作温度[°C]-55至105
Image:                TCOB0J476M8R-EW1 TCOB0J476M8R-EW1 Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) 特性: 案件乙尺寸[mm](英寸)35281411)表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]6.3120hz时的电容[µF]47.0电容容差[%]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]30.0tanδ25°C在120hz [%] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]70.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]1101.0工作温度[°C]-55至105
Image:              TCOB0J227M8R-ES1 TCOB0J227M8R-ES1 Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) 特性: 案件乙尺寸[mm](英寸)35281411)表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]6.3120hz时的电容[µF]220.0电容容差[%]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]139.0tanδ25°C在120hz [%] 25°c15.0100khz时的esr [mΩ]45.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]1374.0工作温度[°C]-55至105