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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: HMC307QS16G_06 HMC307QS16G_06 Hittite Microwave Corporation 1db lsb gaas mmic 5-bit digital attenuator, DC - 4 ghz
Image: Q62702-G0041 Q62702-G0041 Siemens Semiconductor Group silicon bipolar mmic-amplifier (cascadable 50 W-gain block 9 dB typical gain at 1.0 ghz 9 dbm typical P-1db at 1.0 ghz 3 dB-bandwidth: DC to 2.4 ghz)
Image: Q62702-G0043 Q62702-G0043 Siemens Semiconductor Group silicon bipolar mmic-amplifier (cascadable 50 W-gain block 16 dB typical gain at 1.0 ghz 12 dbm typical P-1db at 1.0 ghz)
Image: Q62702-G0042 Q62702-G0042 Siemens Semiconductor Group silicon bipolar mmic-amplifier (cascadable 50 W-gain block 11 dB typical gain at 1.0 ghz 9 dbm typical P-1db at 1.0 ghz)
Image: BGA310 BGA310 Siemens Semiconductor Group silicon bipolar mmic-amplifier (cascadable 50 W-gain block 9 dB typical gain at 1.0 ghz 9 dbm typical P-1db at 1.0 ghz 3 dB-bandwidth: DC to 2.4 ghz)
Image: BGA312 BGA312 Siemens Semiconductor Group silicon bipolar mmic-amplifier (cascadable 50 W-gain block 11 dB typical gain at 1.0 ghz 9 dbm typical P-1db at 1.0 ghz)
Image: BGA318 BGA318 Siemens Semiconductor Group silicon bipolar mmic-amplifier (cascadable 50 W-gain block 16 dB typical gain at 1.0 ghz 12 dbm typical P-1db at 1.0 ghz)
Image: MAX4201 MAX4201 Maxim Integrated 集成电路 780mhz -3db bandwidth, 280mhz 0.1db gain flatness, excellent capacitive-load-driving capability
Image: MAX4201EVKIT MAX4201EVKIT Maxim Integrated 780mhz -3db bandwidth, 280mhz 0.1db gain flatness, excellent capacitive-load-driving capability
Image: MAX4202 MAX4202 Maxim Integrated 半导体 780mhz -3db bandwidth, 280mhz 0.1db gain flatness, excellent capacitive-load-driving capability
Image: MAX9988EGP MAX9988EGP Maxim Integrated +14dbm to +20dbm LO buffers/splitters with ??1db variation
Image: PGA2500 PGA2500 Texas Instruments 半导体 gain range: 0db, and 10db to 65db in 1db steps 28-ssop -40 to 85
Image: MAX9987 MAX9987 Maxim Integrated 半导体 +14dbm to +20dbm LO buffers/splitters with &#177.1db variation
Image: MAX9988 MAX9988 Maxim Integrated 半导体 +14dbm to +20dbm LO buffers/splitters with &#177.1db variation
Image: MAX9989 MAX9989 Maxim Integrated 半导体 +14dbm to +20dbm LO buffers with &#177.1db variation
Image: MAX9990 MAX9990 Maxim Integrated 半导体 +14dbm to +20dbm LO buffers with &#177.1db variation
Image: 307QS16GE 307QS16GE Hittite Microwave Corporation 1db lsb gaas mmic 5-bit digital attenuator, DC - 4 ghz
Image: BD5469GUL BD5469GUL Rohm Semiconductor 连接器 音频/视频连接器 内置alc单声道D类扬声器放大器__bd5469gul.html'>bd5469gul _bd5469gul.html'>bd5469gul是内置了手机，便携式电子设备等移动，音频产品用alc功能的单声道D类扬声器放大器。控制的缩写，该功能可在输入过大时自动调整至输出波形失真（削波）的减少损耗。其具有降低削波噪声实现高音质，防止过大输出以保护扬声器的优点。至输出电平的限制解除动作的时间释放时间（或恢复时间）。本IC采用适合播放音乐的释放时间（典型值262ms / 1db）。驱动应用。关断时的消耗电流低至0.01µA（典型值），从关断到动作的启动快且爆破音小，适用于重复进行关断，激活的用途。
Image: ADL8104 ADL8104 Analog Devices Inc 半导体 接口 adl8104是砷化镓（gaas）、单片微波集成电路（mmic）、假象高电子迁移率晶体管（phemt）、低噪声、宽带、高线性放大器，工作范围从0.4 ghz到7.5 ghz。 adl8104在0.6ghz到6ghz时提供了15db的典型增益，在0.4ghz到6ghz时提供了3.5db的典型噪声系数，在0.6ghz到6ghz的1db压缩（OP1db）下提供了20dbm的典型输出功率，在0.6ghz到6ghz时提供了32dbm的典型输出三阶截距（oip3），5V漏极电源电压仅需150ma。低噪声放大器具有52 dbm的高输出二阶截距（oip2），通常在0.6 ghz至6 ghz之间，使adl8104适用于军事和测试仪器应用。 adl8104还具有内部匹配到50Ω的输入和输出。rfin和rfout引脚是内部交流耦合的，偏置电感也是集成的，这使得adl8104非常适合基于表面贴装技术（smt）的高密度应用。 adl8104采用符合rohs标准的3 mm×3 mm 16引线lfcsp封装。

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