关键词161
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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ORSPI4-3FN1156C | Lattice Semiconductor Corporation | 半导体 集成电路(IC) | fpga - 现场可编程门阵列 16192 lut | ||
ORSPI4-1FN1156I | Lattice Semiconductor Corporation | 半导体 集成电路(IC) | fpga - 现场可编程门阵列 16192 lut | ||
ORSPI4-2FN1156I | Lattice Semiconductor Corporation | 半导体 集成电路(IC) | fpga - 现场可编程门阵列 16192 lut | ||
74LVX161284A | Fairchild Semiconductor | 集成电路 | low voltage ieee 161284 translating transceiver | ||
74LVX161284 | Fairchild Semiconductor | 集成电路 | low voltage ieee 161284 translating transceiver | ||
SII161A | ETC | sii 161a panellink receiver | |||
SiI161ACT100 | ETC | sii 161a panellink receiver | |||
LT1EH67A | Sharp Electrionic Components | 1616 size, 0.8mm thickness, compact dichromatic leadless chip led devices | |||
LT1W67A | Sharp Electrionic Components | 1616 size, 0.8mm thickness, compact full color leadless chip led device | |||
PH1617-60 | Tyco Electronics | wireless power transistor 60 watts, 1615 - 1685 mhz | |||
LT1ED67A | Sharp Electrionic Components | 1616 size, 0.8mm thickness, compact dichromatic leadless chip led devices | |||
LT1KS67A | Sharp Electrionic Components | 1616 size, 0.8mm thickness, compact dichromatic leadless chip led devices | |||
STM32G473MC | STMicroelectronics | 半导体 微控制器 | 核心:带fpu的arm®32位cortex®-M4 cpu,自适应实时加速器(art加速器),允许从闪存执行0等待状态,频率高达170 mhz,带有213个dmip、mpu、dsp指令 操作条件: vdd,vddA电压范围:1.71 V至3.6 V 数学硬件加速器 三角函数加速cordic 过滤数学加速器 回忆 512 KB的闪存,支持ecc,两组读写,专有代码读取保护(pcrop),安全存储区,1 KB otp 96 KB的sram,在前32 KB上执行硬件奇偶校验 常规增强器:指令和数据总线上的32 KB sram,带硬件奇偶校验(ccm sram) 用于静态存储器的外部存储器接口fsmc支持sram、Psram、nor和nand存储器 四spi内存接口 重置和供应管理 上电/断电复位(por/pdr/bor) 可编程电压检测器(pvd) 低功耗模式:休眠、停止、待机和关机 用于rtc和备份寄存器的vbat电源 时钟管理 4~48mhz晶体振荡器 带校准的32 khz振荡器 内部16 mhz RC,带pll选项(±1%) 内部32 khz RC振荡器(±5%) 多达107个快速I/O 所有可映射到外部中断向量 多个具有5V容错能力的I/O 互连矩阵 16通道dma控制器 5 x 12位adc 0.25µs,最多42个通道。分辨率高达16位,硬件过采样,0至3.6 V转换范围 7 x 12位dac通道 3个缓冲外部信道1 msps 4 x无缓冲内部通道15 msps 7 x超快轨对轨模拟比较器 6 x运算放大器,可在pga模式下使用,所有终端均可使用 支持三个输出电压(2.048 V、2.5 V、2.95 V)的内部电压参考缓冲器(vrefbuf) 1617计时器: 2 x 32位定时器和2 x 16位定时器,最多4个IC/OC/pwm或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入 3 x 16位8通道高级电机控制定时器,最多8个pwm通道,死区时间生成和紧急停止 1 x 16位定时器,带2个IC/ocs,一个ocn/pwm,死区生成和紧急停止 2 x 16位定时器,带IC/OC/ocn/pwm,死区生成和紧急停止 2个看门狗定时器(独立,窗口) 1 x systick定时器:24位下行计数器 2 x 16位基本计时器 1 x低功耗定时器 | ||
STM32G473ME | STMicroelectronics | 半导体 微控制器 | 核心:带fpu的arm®32位cortex®-M4 cpu,自适应实时加速器(art加速器),允许从闪存执行0等待状态,频率高达170 mhz,带有213个dmip、mpu、dsp指令 操作条件: vdd,vddA电压范围:1.71 V至3.6 V 数学硬件加速器 三角函数加速cordic 过滤数学加速器 回忆 512 KB的闪存,支持ecc,两组读写,专有代码读取保护(pcrop),安全存储区,1 KB otp 96 KB的sram,在前32 KB上执行硬件奇偶校验 常规增强器:指令和数据总线上的32 KB sram,带硬件奇偶校验(ccm sram) 用于静态存储器的外部存储器接口fsmc支持sram、Psram、nor和nand存储器 四spi内存接口 重置和供应管理 上电/断电复位(por/pdr/bor) 可编程电压检测器(pvd) 低功耗模式:休眠、停止、待机和关机 用于rtc和备份寄存器的vbat电源 时钟管理 4~48mhz晶体振荡器 带校准的32 khz振荡器 内部16 mhz RC,带pll选项(±1%) 内部32 khz RC振荡器(±5%) 多达107个快速I/O 所有可映射到外部中断向量 多个具有5V容错能力的I/O 互连矩阵 16通道dma控制器 5 x 12位adc 0.25µs,最多42个通道。分辨率高达16位,硬件过采样,0至3.6 V转换范围 7 x 12位dac通道 3个缓冲外部信道1 msps 4 x无缓冲内部通道15 msps 7 x超快轨对轨模拟比较器 6 x运算放大器,可在pga模式下使用,所有终端均可使用 支持三个输出电压(2.048 V、2.5 V、2.95 V)的内部电压参考缓冲器(vrefbuf) 1617计时器: 2 x 32位定时器和2 x 16位定时器,最多4个IC/OC/pwm或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入 3 x 16位8通道高级电机控制定时器,最多8个pwm通道,死区时间生成和紧急停止 1 x 16位定时器,带2个IC/ocs,一个ocn/pwm,死区生成和紧急停止 2 x 16位定时器,带IC/OC/ocn/pwm,死区生成和紧急停止 2个看门狗定时器(独立,窗口) 1 x systick定时器:24位下行计数器 2 x 16位基本计时器 1 x低功耗定时器 | ||
BGA924N6板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件,板 | 功能概要 •高插入功率增益:16.2 dB •带外输入三阶交调截点:+ 10dbm •输入1 dB压缩点:-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗:4.8 mA •工作频率: 1550-1615 mhz •电源电压:1.5 V至3.3 V •数字开/关开关(1V逻辑高电平) •超小tsnp-6-2无铅封装(占地面积:0.7 x 1.1 mm2),高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护(包括AI引脚) •无铅(符合rohs要求)封装 | ||
BGA924N6板 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件,板 | 能概要 •高插入功率增益:16.2 dB •带外输入三阶交调截点:+ 10dbm •输入1 dB压缩点:-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗:4.8 mA •工作频率: 1550-1615 mhz •电源电压:1.5 V至3.3 V •数字开/关开关(1V逻辑高电平) •超小tsnp-6-2无铅封装(占地面积:0.7 x 1.1 mm2),高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护(包括AI引脚) | ||
595D225X9050B2T | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 2.2uf 50v 10% 1611 | ||
595D106X0016B2W | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 10uf 16v 20% 1611 | ||
595D156X0010B2W | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 15uf 10v 20% 1611 | ||
595D226X06R3B2W | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 22uf 6.3V 20% 1611 |