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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: UCS2W270MND9 UCS2W270MND9 Nichicon 无源元器件 电容器 aluminum electrolytic capacitors - leaded 450v 27uf 290marms +/-20% at 120hz
Image: UPZ2E121MND9 UPZ2E121MND9 Nichicon 无源元器件 电容器 aluminum electrolytic capacitors - leaded 250v 120uf 740marms +/-20% at 120hz
Image: UCS2E101MND9 UCS2E101MND9 Nichicon 无源元器件 电容器 aluminum electrolytic capacitors - leaded 250v 100uf 680marms +/-20% at 120hz
Image: UPZ2G470MND9 UPZ2G470MND9 Nichicon 无源元器件 电容器 aluminum electrolytic capacitors - leaded 400v 47uf 435marms +/-20% at 120hz
Image: UPZ2D121MND9 UPZ2D121MND9 Nichicon 无源元器件 电容器 aluminum electrolytic capacitors - leaded 200v 120uf 680marms +/-20% at 120hz
Image: UCS2G680MNY9 UCS2G680MNY9 Nichicon 无源元器件 电容器 aluminum electrolytic capacitors - leaded 400v 68uf 600marms +/-20% at 120hz
Image: TCOB1E156M8R TCOB1E156M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]25.0120hz时的电容[µF]15.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]113.0tanδ25°C在120hz [％] 25°c10.0100kHz时的esr [mΩ]100.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100kHz [marms]921.0工作温度[°C]-55至105
Image: TCOB1C336M8R TCOB1C336M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]16.0120hz时的电容[µF]33.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]159.0tanδ25°C在120hz [％] 25°c10.0100kHz时的esr [mΩ]100.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100kHz [marms]921.0工作温度[°C]-55至105
Image: TCOB1A476M8R TCOB1A476M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]10.0120hz时的电容[µF]47.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]47.0tanδ25°C在120hz [％] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]150.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]752.0工作温度[°C]-55至105
Image: TCOB1A336M8R TCOB1A336M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]10.0120hz时的电容[µF]33.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]33.0tanδ25°C在120hz [％] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]150.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]752.0工作温度[°C]-55至105
Image: TCOB0J476M8R-EW1 TCOB0J476M8R-EW1 Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]6.3120hz时的电容[µF]47.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]30.0tanδ25°C在120hz [％] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]70.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]1101.0工作温度[°C]-55至105
Image: TCOB0J227M8R-ES1 TCOB0J227M8R-ES1 Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]6.3120hz时的电容[µF]220.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]139.0tanδ25°C在120hz [％] 25°c15.0100khz时的esr [mΩ]45.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]1374.0工作温度[°C]-55至105
Image: DLPC3470 DLPC3470 Texas Instruments 半导体 DLP & MEMS 适用于 dlp2010 和 dlp2010NIR (0.2 wvga) trp dmd 的显示和光控制器 显示 特性 最高支持 720p 的输入图像大小 高达 120hz 的输入帧速率（2D 和 3D） 24 位，输入像素接口支持： 并行或 bt656，接口协议 像素时钟高达 150mhz 图像处理 - intellibright™算法、图像大小调整、1D keystone、cca、可编程 degamma 光控制 特性的 xhci 控制器： 针对机器视觉和数码曝光进行了优化的图形显示 灵活的内部 (1D) 和外部 (2D) 图形流模式 可编程曝光时间 高达 2500hz（1 位）和 360hz（8 位）的高速图形速率
Image: DLPC3478 DLPC3478 Texas Instruments 半导体 DLP & MEMS 适用于 dlp3010 (.3 720p) trp dmd 的显示和光控制器 显示 特性的 xhci 控制器： 支持高达 720p 的输入图像大小 高达 120hz 的输入帧速率（2D 和 3D） 24 位输入像素接口支持 并行或 bt656，接口协议 像素时钟高达 150mhz 图像处理 - intellibright™算法、图像大小调整、1D keystone、cca、可编程 degamma 光控制 特性的 xhci 控制器： 针对机器视觉和数码曝光进行了优化的图形显示 灵活的内部 (1D) 和外部 (2D) 图形流模式 可编程曝光时间 高达 2500hz（1 位）和 360hz（8 位）的高速图形速率
Image: DLPC3432 DLPC3432 Texas Instruments 半导体 DLP & MEMS dlp230gp (0.23 qhd) dmd 显示控制器 支持高达 720p 的输入分辨率 支持接口训练的低功耗 dmd 接口 输入帧速率高达 120hz 24 位输入像素接口，包括： 并行或 bt656 接口协议 高达 150mhz 的像素时钟 多个输入像素数据格式选项 像素数据处理包括： intellibright™图像处理算法套件 内容自适应照明控制 局部亮度增强 1-D 梯形校正 色彩坐标调整 主动电源管理处理
Image: DLPC6401 DLPC6401 Texas Instruments 半导体 DLP & MEMS 提供一个 30 位输入像素接口： yuv，ycrcb 或 rgb 数据格式 每个色彩 8，9 或 10 位 像素时钟支持高达 150mhz 提供一个单通道、基于低压差分信令 (lvds) 且 兼容平板显示 (fpd)-link 的输入接口： 支持有效像素时钟速率高达 90mhz 的输入源 支持四种经解调的像素映射模式，适用于 8、9、10 路 yuv、ycrcb 或 rgb 格式的输入 支持 45hz 至 120hz 的帧速率 完全支持 diamond 0.45 wxga 高速、双倍数据速率 (ddr) 数字微镜器件 (dmd) 接口 149.33mhz arm926微处理器 微处理器外设：

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