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IXGH15N120B |
IXYS |
|
半导体
分离式半导体
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igbt transistors 30 amps 1200v 3.2 rds |
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IXGH25N120A |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
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igbt transistors 25 amps 1200v |
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BSM100GD120DN2 |
Infineon Technologies |
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半导体
分离式半导体
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igbt modules 1200v 100a FL bridge |
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IXGA12N120A2 |
IXYS |
|
半导体
分离式半导体
|
igbt transistors 24 amps 1200v 2.7 rds |
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IXGH20N120B |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
|
igbt transistors 20 amps 1200v 3.40 rds |
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IXGH12N120A2D1 |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
|
mosfet 24 amps 1200v 2.7 rds |
|
FS450R12KE4 |
Infineon Technologies |
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半导体
分离式半导体
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discrete semiconductor modules 1200v 450a igbt4 |
|
IXGH20N120IH |
IXYS |
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半导体
分离式半导体
|
mosfet 20 amps 1200v |
|
1N8024-GA |
GeneSiC Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers 1200v .75a, 225 D C |
|
1N8026-GA |
GeneSiC Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers 1200v, 5A, 225 deg C |
|
GB05SHT12-CAL |
GeneSiC Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers sic 1200v 5A 225degc AI top and Au bottom |
|
1N8028-GA |
GeneSiC Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers 1200v, 10a, 225 D C |
|
GB01SHT12-CAL |
GeneSiC Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers sic 1200v 1A 225degc AI top and Au bottom |
|
GB05SHT12-CAU |
GeneSiC Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers sic 1200v 5A 225degc Au top and Au bottom |
|
1N8025 |
GeneSiC Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers 1200v, 1A, 225 deg C sic schottky rect. |
|
1N8027 |
GeneSiC Semiconductor |
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半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers 1200v, 5A, 225 D C sic schottky rect. |
|
1N8029 |
GeneSiC Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers 1200v, 15a, 225 D C sic schottky rect. |
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GB01SHT12-CAU |
GeneSiC Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
schottky diodes & rectifiers sic 1200v 1A 225degc Au top and Au bottom |
|
IGB01N120H2 |
Infineon Technologies |
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半导体
分离式半导体
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igbt transistors high speed 2 tech 1200v 1A |
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SGI02N120 |
Infineon Technologies |
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半导体
分离式半导体
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igbt transistors fast igbt npt tech 1200v 2A |