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Image: TC7W14FK(T5L,F,T) TC7W14FK(T5L,F,T) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet schmitt inverter 11ns 5V 1ua
Image: 74LVC2G32GS,115 74LVC2G32GS,115 NXP Semiconductors 半导体 集成电路 - IC translation - voltage levels 11ns 5.5V 300mw
Image: 74LVC2G241GS,115 74LVC2G241GS,115 NXP Semiconductors 半导体 集成电路 - IC translation - voltage levels 11ns 5.5V 300mw
Image: 74LVC1G34GS,132 74LVC1G34GS,132 NXP Semiconductors 半导体 集成电路 - IC translation - voltage levels 11ns 5.5V 250mw
Image: 74AUP2G34GS,132 74AUP2G34GS,132 NXP Semiconductors 半导体 集成电路 - IC translation - voltage levels 11ns 3.6V 250mw
Image: XDL21-7-110S XDL21-7-110S Anaren 无源元器件 信号调节 signal conditioning 2.1-2.2ghz IL .55db 1W delay 11ns
Image: W39V040FAPZ W39V040FAPZ Winbond Electronics 集成电路 存储器 IC flash 4mbit 11ns 32plcc
Image: EDI2GG464128V11D EDI2GG464128V11D White Electronic Designs Corporation 4x128kx64 synchronous Sram card module(4x128kx64, 3.3V，11ns,同步静态ram卡模块(流通结构）)
Image: LM5108 LM5108 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 采用 3mm × 3mm 封装 互锁或跨导保护 启用/禁用功能 HS 引脚上的绝对最大负电压处理能力 (-5V) 5V 典型欠压锁定 20ns 典型传播延迟 1000pf 负载时的上升时间为 11ns，下降时间典型值为 8ns 1ns 典型延迟匹配 2.6A 灌电流，1.6A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 110v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成式自举二极管

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