关键词10db
标准
为您共找出"407"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: S4908WBFNM S4908WBFNM Laird Technologies IAS 无源元器件 RF 天线 ant vpol omnidir 10dbi N male
Image: S4908WBFNF S4908WBFNF Laird Technologies IAS 无源元器件 RF 天线 ant vpol omnidir 10dbi N fem
Image: ACH2-AT-DP008-G ACH2-AT-DP008-G Quatech (B&B Electronics) 无源元器件 RF 天线 antenna 10dbi patch RP-sma
Image: RFM68W-433-S2 RFM68W-433-S2 RF Solutions 无源元器件 RF 发射器 module transmitter +10dbm smd
Image: MICRF507YMLTR MICRF507YMLTR Micrel Inc 470mhz to 510mhz low-power fsk transceiver with +10dbm power amplifier
Image: MICRF507 MICRF507 Micrel Inc 半导体 470mhz to 510mhz low-power fsk transceiver with +10dbm power amplifier
Image: MCA1-80LH MCA1-80LH Mini-Circuits frequency mixer wide bacd level 10 (LO power +10dbm) 2800 to 8000 mhz
Image: SYM-30DLHW SYM-30DLHW ETC level 10 (LO power +10dbm) 5 to 3000 mhz
Image: MAX1479 MAX1479 Maxim Integrated 半导体 300mhz to 450mhz low-power, crystal-based +10dbm ask/fsk transmitter
Image: MAX1479ATE MAX1479ATE Maxim Integrated 半导体 300mhz to 450mhz low-power, crystal-based +10dbm ask/fsk transmitter
Image: BGA924N6板 BGA924N6板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 功能概要 •高插入功率增益：16.2 dB •带外输入三阶交调截点：+ 10dbm •输入1 dB压缩点：-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗：4.8 mA •工作频率： 1550-1615 mhz •电源电压：1.5 V至3.3 V •数字开/关开关（1V逻辑高电平） •超小tsnp-6-2无铅封装（占地面积：0.7 x 1.1 mm2），高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护（包括AI引脚） •无铅（符合rohs要求）封装
Image: BGA924N6板 BGA924N6板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 能概要 •高插入功率增益：16.2 dB •带外输入三阶交调截点：+ 10dbm •输入1 dB压缩点：-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗：4.8 mA •工作频率： 1550-1615 mhz •电源电压：1.5 V至3.3 V •数字开/关开关（1V逻辑高电平） •超小tsnp-6-2无铅封装（占地面积：0.7 x 1.1 mm2），高度低至0.4mm •b7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护（包括AI引脚）
Image: MRF422 MRF422 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar 2-30mhz 150watts 28volt gain 10db
Image: MRF314 MRF314 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar 30-200mhz 30watts 28volt gain 10db
Image: MRF392 MRF392 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar 100-400mhz 125watts 28volt gain 10db
Image: MRF275G MRF275G MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 5-500mhz 150watts 28volt 10db
Image: MRF175LU MRF175LU MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 400mhz 28volt 100w gain 10db
Image: UF28100V UF28100V MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 100-500mhz 100Watts 28volt 10db
Image: 2SA1163-GRTE85LF 2SA1163-GRTE85LF Toshiba 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt vceo -120v audio IC -100ma IB 10db
Image: UF2840G UF2840G MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 100-500mhz 40watts 28volt gain 10db

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号