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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: SCI-9980-501 SCI-9980-501 Spectrum Advanced Specialty Products 无源元器件 EMI/RFI 器件 emi/rfi 抑制器及铁氧体 mini L crctsolder 10dc 200v 500pf
Image: SCI-9980-152 SCI-9980-152 Spectrum Advanced Specialty Products 无源元器件 EMI/RFI 器件 emi/rfi 抑制器及铁氧体 mini L crctsolder 10dc 200v 1500pf
Image: SCI-9980-103 SCI-9980-103 Spectrum Advanced Specialty Products 无源元器件 EMI/RFI 器件 emi/rfi 抑制器及铁氧体 mini L crctsolder 10dc 100v 10k pF
Image: SCI-9980-333 SCI-9980-333 Spectrum Advanced Specialty Products 无源元器件 EMI/RFI 器件 emi/rfi 抑制器及铁氧体 mini L crctsolder 10dc 50v 33k pF
Image: SCI-9980-102 SCI-9980-102 Spectrum Advanced Specialty Products 无源元器件 EMI/RFI 器件 emi/rfi 抑制器及铁氧体 mini L crctsolder 10dc 200v 1000pf
Image: MICRF507YMLTR MICRF507YMLTR Micrel Inc 470mhz to 510mhz low-power fsk transceiver with +10dbm power amplifier
Image: MICRF507 MICRF507 Micrel Inc 半导体 470mhz to 510mhz low-power fsk transceiver with +10dbm power amplifier
Image: MCA1-80LH MCA1-80LH Mini-Circuits frequency mixer wide bacd level 10 (LO power +10dbm) 2800 to 8000 mhz
Image: SYM-30DLHW SYM-30DLHW ETC level 10 (LO power +10dbm) 5 to 3000 mhz
Image: MAX1479 MAX1479 Maxim Integrated 半导体 300mhz to 450mhz low-power, crystal-based +10dbm ask/fsk transmitter
Image: MAX1479ATE MAX1479ATE Maxim Integrated 半导体 300mhz to 450mhz low-power, crystal-based +10dbm ask/fsk transmitter
Image:       BGA924N6板 BGA924N6板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件,板 功能概要 •高插入功率增益:16.2 dB •带外输入三阶交调截点:+ 10dbm •输入1 dB压缩点:-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗:4.8 mA •工作频率: 1550-1615 mhz •电源电压:1.5 V至3.3 V •数字开/关开关(1V逻辑高电平) •超小tsnp-6-2无铅封装(占地面积:0.7 x 1.1 mm2),高度低至0.4mmb7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护(包括AI引脚) •无铅(符合rohs要求)封装
Image:     BGA924N6板 BGA924N6板 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件,板 能概要 •高插入功率增益:16.2 dB •带外输入三阶交调截点:+ 10dbm •输入1 dB压缩点:-5 dbm •应用中的低噪声系数 •低电流消耗:4.8 mA •工作频率: 1550-1615 mhz •电源电压:1.5 V至3.3 V •数字开/关开关(1V逻辑高电平) •超小tsnp-6-2无铅封装(占地面积:0.7 x 1.1 mm2),高度低至0.4mmb7hf硅锗技术 •射频输出内部匹配至50Ω •仅需一个外部smd组件 •2kv hbm esd保护(包括AI引脚)
Image: MRF422 MRF422 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar 2-30mhz 150watts 28volt gain 10db
Image: MRF314 MRF314 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar 30-200mhz 30watts 28volt gain 10db
Image: MRF392 MRF392 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar 100-400mhz 125watts 28volt gain 10db
Image: MRF275G MRF275G MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 5-500mhz 150watts 28volt 10db
Image: MRF175LU MRF175LU MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 400mhz 28volt 100w gain 10db
Image: UF28100V UF28100V MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF mosfet 100-500mhz 100Watts 28volt 10db
Image: 2SA1163-GRTE85LF 2SA1163-GRTE85LF Toshiba 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt vceo -120v audio IC -100ma IB 10db