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STL6N3LLH6 | STMicroelectronics |   |
半导体 分离式半导体 | mosfet N-Ch 30 V 0.021 ohm 6 A stripfet VI DG |
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STL6N3LLH6 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 描述 该器件是采用stripfet™H6技术开发的N沟道功率mosfet，具有新的沟槽栅极结构。最终的功率mosfet在所有封装中的R DS（on）都非常低。 所有功能 导通电阻很低 极低的栅极电荷 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗 |
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