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    Image: IRG4BC10KD IRG4BC10KD International Rectifier 半导体 insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode(vces=600v, vce(on)typ.2.39v, @vge=15v, Ic=5.0A)
    Image: IRG4BC10KDPBF IRG4BC10KDPBF International Rectifier 半导体 分离式半导体 igbt transistors 600v ultrafast 8-25khz

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