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关键词DTD123Y
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Image: DTD123Y DTD123Y ROHM Semiconductor digital transistors (built-in resistors)
Image: DTD123Y-AE3-6-R DTD123Y-AE3-6-R Unisonic Technologies digital transistors (built-IN resistors)
Image: DTD123Y-AL3-6-R DTD123Y-AL3-6-R Unisonic Technologies digital transistors (built-IN resistors)
Image: DTD123YKT146 DTD123YKT146 Rohm Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased digit npn 50v 500ma sot-346
Image: DTD123YK DTD123YK ROHM Semiconductor digital transistors (built-in resistors)
Image: DTD123YS DTD123YS ROHM Semiconductor digital transistors (built-in resistors)
Image: DTD123YL-AE3-6-R DTD123YL-AE3-6-R Unisonic Technologies digital transistors (built-IN resistors)
Image: DTD123YL-AL3-6-R DTD123YL-AL3-6-R Unisonic Technologies digital transistors (built-IN resistors)
Image:       DTD123YK DTD123YK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性: 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8(t = 1.1)端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io(Ic)[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 1 [kΩ]10.0功耗(PD)[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎56至输出电流[A]0.5储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:       DTD123YC DTD123YC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性: 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4(t = 0.95)端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io(Ic)[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 1 [kΩ]10.0集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io(Ic)[A]0.5功耗(PD)[W]0.2安装方式表面贴装储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 特点: 1)内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可配置逆变器电路(请参阅等效电路) 2)偏置电阻由完全隔离以允许负极的薄膜电阻组成 输入的偏差。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优势。 3)只需设置开/关条件即可操作,使设备的设计变得容易。
Image:        DTD123YKFRA DTD123YKFRA Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点: 内置偏置电阻R 1 =2.2kΩ,R 2 =4.7kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置(请参阅内部电路)。 只需设置开/关条件即可进行操作,从而简化了电路设计。 互补pnp类型:dtb123yk fra
Image:        DTD123YCHZG DTD123YCHZG Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点: 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可配置逆变器电路(请参阅等效电路) 偏置电阻由完全隔离以允许负极的薄膜电阻组成 输入的偏差。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优势。 只需设置开/关条件即可进行操作,使设备的设计变得容易。

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