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Image: DTD123T DTD123T ROHM Semiconductor 半导体 digital transistor
Image: DTD123TKT146 DTD123TKT146 Rohm Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased npn 50v 500ma
Image: DTD123TSTP DTD123TSTP Rohm Semiconductor 半导体 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 trans prebias npn 300mw spt
Image: DTD123TK DTD123TK ROHM Semiconductor 半导体 digital transistors (built-in resistor)
Image: DTD123TS DTD123TS ROHM Semiconductor 半导体 digital transistors (built-in resistor)
Image:        DTD123TK DTD123TK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性: 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8(t = 1.1)端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]40.0集电极电流Io(Ic)[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2集电极-发射极电压vceo1 [V]40.0集电极电流Io(Ic)[A]0.5功耗(PD)[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎100600输出电流[A]0.5储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150
Image:       DTD123TC DTD123TC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性: 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4(t = 0.95)端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io(Ic)[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io(Ic)[A]0.5功耗(PD)[W]0.2安装方式表面贴装储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 特点: 内置偏置电阻,R 1 =2.2kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置(请参阅内部电路)。 只需设置开/关条件即可进行操作,从而简化了电路设计。 3)只需设置开/关条件即可操作,使设备的设计变得容易。 互补pnp类型:dtb123tc
Image:        DTD123TCHZG DTD123TCHZG Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点: 内置偏置电阻,R 1 =2.2kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置(请参阅内部电路)。 只需设置开/关条件即可进行操作,从而简化了电路设计。 互补的pnp类型:dtb123tc hzg

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