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关键词DTD123E
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    Image: DTD123E DTD123E ROHM Semiconductor digital transistors (built-in resistors)
    Image: DTD123EKT146 DTD123EKT146 Rohm Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased npn 50v 500ma
    Image: DTD123EK DTD123EK ROHM Semiconductor digital transistors (built-in resistors)
    Image: DTD123ES DTD123ES ROHM Semiconductor digital transistors (built-in resistors)
    Image: DTD123EK DTD123EK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 1 [kΩ]2.2功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎39至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
    Image: DTD123EC DTD123EC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]2.2发射极基极电阻R2 1 [kΩ]2.2集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特点： 1）内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可配置逆变器电路（请参阅等效电路） 2）偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，以允许输入产生负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优势。 3）只需设置开/关条件即可操作，使设备的设计变得容易。
    Image: DTD123EKFRA DTD123EKFRA Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻，R 1 = R 2 =2.2kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dtb123ek fra
    Image: DTD123ECHZG DTD123ECHZG Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 1）内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可配置逆变器电路（请参阅等效电路） 2）偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，以允许输入产生负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优势。 3）只需设置开/关条件即可操作，使设备的设计变得容易。

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