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    Image: DTD113Z DTD113Z ROHM Semiconductor 半导体 digital transistors (built-in resistors)
    Image: DTD113Z-AE3-6-R DTD113Z-AE3-6-R Unisonic Technologies npn digital transistor (built- IN bias resistors)
    Image: DTD113Z-AL3-6-R DTD113Z-AL3-6-R Unisonic Technologies npn digital transistor (built- IN bias resistors)
    Image: DTD113ZKT146 DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased digit npn 50v 500ma
    Image: DTD113ZUT106 DTD113ZUT106 Rohm Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased npn 50v 500ma
    Image: DTD113ZUS3 DTD113ZUS3 ETC mini size of discrete semiconductor elements
    Image: DTD113ZS3 DTD113ZS3 ETC mini size of discrete semiconductor elements
    Image: DTD113ZK DTD113ZK ROHM Semiconductor digital transistors (built-in resistors)
    Image: DTD113ZS DTD113ZS ROHM Semiconductor digital transistors (built-in resistors)
    Image: DTD113ZU DTD113ZU ROHM Semiconductor 半导体 digital transistors (built-in resistors)
    Image: DTD113ZL-AE3-6-R DTD113ZL-AE3-6-R Unisonic Technologies npn digital transistor (built- IN bias resistors)
    Image: DTD113ZL-AL3-6-R DTD113ZL-AL3-6-R Unisonic Technologies npn digital transistor (built- IN bias resistors)
    Image: DTD113ZU DTD113ZU Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-323jeita套餐SC-70包装尺寸[mm]2.0x2.1（t = 0.9）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]1.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎56至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
    Image: DTD113ZK DTD113ZK Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-346jeita套餐SC-59包装尺寸[mm]2.9x2.8（t = 1.1）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]1.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装胃肠炎56至输出电流[A]0.5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
    Image: DTD113ZC DTD113ZC Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特性： 年级标准包装代码sot-23包装尺寸[mm]2.9x2.4（t = 0.95）端子数3极性npn电源电压vcc 1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5输入电阻R1 1 [kΩ]1.0发射极基准电阻R2 1 [kΩ]10.0集电极-发射极电压vceo1 [V]50.0集电极电流Io（Ic）[A]0.5功耗（PD）[W]0.2安装方式表面贴装储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150 特点： 内置偏置电阻R 1 =1kΩ，R 2 =10kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dtb113zc
    Image: DTD113ZKFRA DTD113ZKFRA Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻R 1 =1kΩ，R 2 =10kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dtb113zk fra
    Image: DTD113ZCHZG DTD113ZCHZG Rohm Semiconductor 半导体 晶体管 特点： 内置偏置电阻R 1 =1kΩ，R 2 =10kΩ 内置偏置电阻器无需连接外部输入电阻器即可实现逆变器电路的配置（请参阅内部电路）。 只需设置开/关条件即可进行操作，从而简化了电路设计。 互补pnp类型：dtb113zc hzg

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