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器件类型传感器，变送器
- 标准
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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OPA2333-HT | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 低偏移电压：26µV（最大） 0.01-Hz至10 Hz噪声：1.5µvpp 静态电流：50µA 单电源操作 电源电压：1.8 V至5.5 V 轨对轨输入和输出 支持极端温度应用 受控基线 一个装配/试验现场 一个制造场地 提供极端温度（–55°C至210°C） 温度范围（1） 延长产品生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 德州仪器的高温产品使用 高度优化的硅（芯片）设计解决方案 和流程增强，以最大限度地 延长温度下的性能。 | |
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OPA4277-SP | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 符合 qmlv 标准：5962-16209 抗辐射加固保障 (rha) 高达 50krad(Si) 总电离剂量 (tid) 无低剂量率辐射损伤增强 (eldrs)（请参阅辐射报告） 单粒子锁定 (sel) 对于线性能量传输 (let) 的抗扰度 = 85mev-cm2/mg 超低偏移电压：20µV 超低漂移：±0.15µV/°C 高开环增益：134db 高共模抑制比：140db 高电源抑制比：130db 宽电源电压范围：±2V 至 ±18v 低静态电流：800µA/放大器 采用 14 引线 cfp，具有行业标准四路运算放大器引脚 | |
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THS4521-HT | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 全差分架构 带宽： 40.7 mhz (210°C) 转换速率： 353.5 V/μs (210°C) hd2: –96 dbc，在 1 khz (1 vrms, RL = 1 kΩ) (210°C) hd3: –91.5 dbc，在 1 khz (1 vrms, RL = 1 kΩ) (210°C) 输入电压噪声： 19.95 nV/√Hz (f = 100 khz) 开环增益： 90 dB （典型值）(210°C) nri—负轨输入 rro—轨至轨输出 输出共模控制 （具有低失调及低漂移） 电源 电压： 2.5 V (±1.25 V) 至 3.3 V (±1.65 V) 电流：每通道 1.4 mA （在 3.3 V 电压下） 断电能力： 10 µA （典型值）(210°C) | |
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LM124-SP | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | qml-V合格，smd 5962-7704301vca、5962-9950403vca和5962-9950403v9b 耐辐射：每天三次每次50克拉 （5962-9950403vca和5962-9950403v9b）（1） tid剂量率=0.01 rad/sec（Si） 供应范围广 单电源：3 V至32 V 双电源：±1.5 V至±16 V 低电源电流消耗独立于 电源电压：0.8 mA（类型） 低输入偏置和偏置参数 输入偏置电压：1 mV型 输入偏置电流：2na型 电流偏置输入：30毫安型 共模输入电压范围包括 地面，允许近地面直接感应 差动输入电压范围等于最大额定电源电压：±32 V 开环差分电压 放大：100 V/mV型 内部频率补偿 | |
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OPA820-HT | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 高带宽 （在25°C时为240 mhz和在210°C时为100 mhz，G = 2） 高输出电流 （25°C时为±110 mA而在210°C时为50 mA） 低输入噪音 （在25°C时为2.5 nV/√Hz 而在210°C时为4.5 nV/√Hz） 低电源电流 （在25°C时为5.6ma而在210°C时为6.8ma） 灵活的电源电压： 双电源时为±2.5 V至±5 V 单电源时为+5 V | |
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LF147 | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 内部修整偏置电压：最大5 mV 低输入偏置电流：50pa 低输入噪声电流：0.01 pA/√Hz 宽增益带宽：4mhz 高回转率：13 V/μs 低电源电流：7.2 mA 高输入阻抗：1012Ω 低总谐波失真：≤0.02% 低1/f噪声角：50 Hz 快速沉降时间为0.01%：2μs | |
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LF156 | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 优势 取代昂贵的混合和模块场效应晶体管 运放 坚固的jfet允许吹出自由处理 与mosfet输入器件相比 适用于低噪音应用 高或低源阻抗–非常 低1/f角 偏移调整不会降低漂移或 共模抑制 单片放大器 新的输出级允许使用大的 无稳定性的电容性负载（5000 pF） 问题 内补偿大差动 输入电压能力 | |
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LM111QML | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 可保证辐射 高剂量率50克拉（Si） 低剂量和无eldrs 100 krad（Si） 由单个5V电源供电 输入电流：200毫安最大超温 偏置电流：20毫安最大超温 差分输入电压范围：±30伏 功耗：135 mW±15伏 电源电压，单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力 | |
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LM119QML | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 可保证辐射 高剂量率100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常在±15v下80 ns响应时间 每侧至少有2个风扇 1μA过温最大输入电流 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率 | |
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LM193QML | Texas Instruments | 传感器，变送器 放大器 | 提供辐射保证 总电离剂量100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 广泛供应 电压范围：2.0vdc至36vdc 单电源或双电源：±1.0伏至±18伏 极低电源电流消耗（0.4 mA）— 独立于电源电压 低输入偏置电流：25毫安典型值 低输入偏置电流：±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压，典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与ttl，dtl，ecl，mos和Cmos逻辑系统兼容 |
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