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器件类型半导体
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Image: MA26V2200A MA26V2200A Panasonic Electronic Components 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode variable cap 6V 1006
Image: MA26V0300A MA26V0300A Panasonic Electronic Components 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode variable cap 6V 1006
Image: ZV932V2TA ZV932V2TA Diodes/Zetex 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode varactor 12v 200q sod-523
Image: ZV932V2TA ZV932V2TA Diodes Incorporated 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode varactor 12v 200q sod-523
Image: FMMV3102TA FMMV3102TA Diodes Incorporated 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode var capac 30v 25pf sot23-3
Image: ZV931V2TA ZV931V2TA Diodes Incorporated 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode varactor 12v 300q sod-523
Image: MA26V0500A MA26V0500A Panasonic Electronic Components 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode variable cap 10v 1006
Image: FMMV2104TA FMMV2104TA Diodes/Zetex 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode var capac 30v 12pf sot23-3
Image: ZC934TA ZC934TA Diodes/Zetex 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode var cap 95pf 1A sot23-3
Image: ZC934TC ZC934TC Diodes Incorporated 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode varactor 12v 100ma sot23-3
Image: 1SV277TPH3F 1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode varicap vco uhf usc
Image: MA26V2000A MA26V2000A Panasonic Electronic Components 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） diode variable cap 6V 1006
Image: J3Y J3Y 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管）
Image: L8205A L8205A American Electrical Inc 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） mixer diode
Image: LTC8205A LTC8205A Lite-On Inc 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） small signal, fet
Image: MA27V20 MA27V20 Panasonic 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） silicon epitaxial planar type
Image: TCOB1E156M8R TCOB1E156M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]25.0120hz时的电容[µF]15.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]113.0tanδ25°C在120hz [％] 25°c10.0100kHz时的esr [mΩ]100.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100kHz [marms]921.0工作温度[°C]-55至105
Image: TCOB1C336M8R TCOB1C336M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]16.0120hz时的电容[µF]33.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]159.0tanδ25°C在120hz [％] 25°c10.0100kHz时的esr [mΩ]100.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100kHz [marms]921.0工作温度[°C]-55至105
Image: TCOB1A476M8R TCOB1A476M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]10.0120hz时的电容[µF]47.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]47.0tanδ25°C在120hz [％] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]150.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]752.0工作温度[°C]-55至105
Image: TCOB1A336M8R TCOB1A336M8R Rohm Semiconductor 半导体 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） 特性： 案件乙尺寸[mm]（英寸）3528（1411）表壳高度[mm]最高 2.1额定电压[V]10.0120hz时的电容[µF]33.0电容容差[％]±20漏电流25°C 1wv 5min [µA]33.0tanδ25°C在120hz [％] 25°C8.0100khz时的esr [mΩ]150.0最大允许纹波电流 ≦45°C 100khz [marms]752.0工作温度[°C]-55至105

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