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Image: MC14011B MC14011B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14011UB MC14011UB ON Semiconductor 半导体 逻辑 UB 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。UB 系列 Cmos 门极将反相非缓冲函数。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 线性和振荡器应用 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 对应的cd4000系列UB后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14012B MC14012B ON Semiconductor 半导体 逻辑 此类双路 4 输入 nand 门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 所有输入均具有双二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14023B MC14023B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14025B MC14025B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14070B MC14070B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14070b 四互斥 OR 门极和 mc14077b 四互斥 nor 门极在一个单片结构中使用 mos P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些互补 mos 逻辑门极主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 mc14070b-替换cd4030b和cd4070b类型 mc14077b-替代cd4077b类型 提供无铅封装*
Image: MC14071B MC14071B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14073B MC14073B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B系列逻辑门由P和N通道增强模式器件以单个整体结构（互补mos）构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14077B MC14077B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14070b四路“异或”门和mc14077b四路“异或”门由mos P通道和N通道增强模式器件以单个整体结构构成。这些互补的mos逻辑门主要用于要求低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 mc14070b-替换cd4030b和cd4070b类型 mc14077b-替代cd4077b类型 提供无铅封装*
Image: MC14081B MC14081B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B系列逻辑门由P和N通道增强模式器件以单个整体结构（互补mos）构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14082B MC14082B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14093B MC14093B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14093b 施密特触发器在一个单片结构中使用 mos P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些器件主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。mc14093b 可以替代 mc14011b 四路 2 输入 nand 门极，实现更高抗扰度，或对慢慢变化的波形进行“方形整形”。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有三重二极管保护 与cd4093引脚兼容 可用于替换mc14011b 每个输入都有独立的施密特触发器 提供无铅封装*
Image: MC14106B MC14106B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14106b十六进制施密特触发器由mos P通道和N通道增强模式器件以单个整体结构构成。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。mc14106b可以代替mc14069ub十六进制逆变器使用，以增强抗噪能力或“叠加”缓慢变化的波形。 特性 mc14584b上增加的磁滞电压 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 cd40106b和mm74c14的引脚换引脚 可用于替换mc14584b或mc14069ub 提供无铅封装*
Image: MC14572UB MC14572UB ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14572ub 六路功能门极在一个单片结构中使用 mos P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些互补 mos 逻辑门极主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。该芯片包括四个逆变器、一个 nor 门极和一个 Nand 门极。 特性 所有输入上的二极管保护 单电源操作 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc nor输入引脚与V SS引脚相邻，简化了反相器的使用 与V DD引脚相邻的Nand输入引脚简化了反相器的使用 nor输出引脚，与OR输入对应的反相器输入引脚相邻 与and应用相邻的Nand输出引脚与反相器输入引脚相邻 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 提供无铅封装
Image: MC14584B MC14584B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14584b 六路施密特触发器是使用 mos P 沟道和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。mc14584b 可用来代替 mc14069ub 六路逆变器，以增强抗扰度，适应缓慢变化的波形。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 可以用来替代mc14069ub 要获得更大的滞后性，请使用mc14106b，这是cd40106b和mm74cl4的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MA4P1250NM-1072T MA4P1250NM-1072T MACOM 半导体 分离式半导体 pin diodes Vr 100 vdc max 1.2pf Rs= .75 ohms max.
Image: MA4P1200NM-401T MA4P1200NM-401T MACOM 半导体 分离式半导体 pin diodes Vr 100 vdc max 1.5pf Rs= .75 ohms max.
Image: BSPH3600YPVR BSPH3600YPVR Cooper Bussmann 电路保护 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 gas discharge tubes - gdts / gas plasma arrestors 600 vdc 3 pole Y config spd RM
Image: BSPH3600YPV BSPH3600YPV Cooper Bussmann 电路保护 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 gas discharge tubes - gdts / gas plasma arrestors 600 vdc 3 pole Y config spd
Image: CF1-B0-12-640-634-D CF1-B0-12-640-634-D Carling Technologies 电路保护 断路器与附件 circuit breakers 40a 80 vdc 1 pole hydraulic magnetic

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