关键词tran
标准
为您共找出"500+"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: SMA6T30AY SMA6T30AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47AY SMA6T47AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T47CAY SMA6T47CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T56AY SMA6T56AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: KSC5402DTF KSC5402DTF Fairchild Semiconductor 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt npn silicon transistor planar silicon transistor
Image: STX616-AP STX616-AP STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt high voltage npn power trans
Image: DXT790AP5-13 DXT790AP5-13 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt bipolar trans,pnp 40v,3A
Image: 300S14-U 300S14-U THAT 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt 4 npn matched trans. array SO-14
Image: BC846,215 BC846,215 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt trans GP tape-7
Image: BC850C,235 BC850C,235 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt trans low noise
Image: PDTC143TU,115 PDTC143TU,115 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors switching - resistor biased trans ret tape-7
Image: BC847BM,315 BC847BM,315 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt trans GP tape-7
Image: BC847BS,135 BC847BS,135 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt trans double tape-11
Image: BC817DS,115 BC817DS,115 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt trans double tape-7
Image: BC 817K-40 E6327 BC 817K-40 E6327 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt AF trans GP bjt npn 45v 0.5
Image: BCM847DS,115 BCM847DS,115 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt trans matched pair
Image: BCM857BS,115 BCM857BS,115 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt trans matched pair
Image: DSC200200L DSC200200L Panasonic 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt SM sig biplr trans GL wng 2.9x2.8mm
Image: DSC300100L DSC300100L Panasonic 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt SM sig trans flt LD 1.2x1.2mm
Image: DSA300100L DSA300100L Panasonic 半导体 分离式半导体 transistors bipolar - bjt SM sig trans flt LD 1.2x1.2mm

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号