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厂商
标准
分类
描述
2812
Systemsensor advanced ideas.
4/6
wire
ststems
dectectors
2824
Systemsensor advanced ideas.
4/6
wire
ststems
dectectors
XRT75L03IVTR
Exar Corporation
半导体
集成电路(IC)
时钟合成器/抖动清除器
3ch
E3/
ds3
/
sts1
jitter
attenuator
0305213
Phoenix Contact
连接器
接线端子
terminal
block
tools
&
accessories
stsr
-
gsk
K4S560432E-NL75
Samsung semiconductor
256mb
E-
die
sdram
specification
54pin
stsop
-II
K4S560432E-NC
Samsung semiconductor
256mb
E-
die
sdram
specification
54pin
stsop
-II
K4S560432E-NC75
Samsung semiconductor
256mb
E-
die
sdram
specification
54pin
stsop
-II
K4S560832E-NL75
Samsung semiconductor
256mb
E-
die
sdram
specification
54pin
stsop
-II
K4S560832E-NC75
Samsung semiconductor
256mb
E-
die
sdram
specification
54pin
stsop
-II
TA2066F
Toshiba Semiconductor and Storage
RF
amplifier
for
digital
servo
CD
ststem
TA2066
Toshiba Semiconductor and Storage
RF
amplifier
for
digital
servo
CD
ststem
K4S281632B-NC/L1H
Samsung semiconductor
2M x
16bit
x 4
banks
synchronous
dram
in
stsop
K4S281632B-NC/L1L
Samsung semiconductor
2M x
16bit
x 4
banks
synchronous
dram
in
stsop
K4S281632B-N
Samsung semiconductor
2M x
16bit
x 4
banks
synchronous
dram
in
stsop
K4H510838B-VC/LB0
Samsung semiconductor
512mb
B-
die
ddr
sdram
specification
54
stsop
-II (
400mil
x
441mil
)
K4H510838B-VC/LA2
Samsung semiconductor
512mb
B-
die
ddr
sdram
specification
54
stsop
-II (
400mil
x
441mil
)
K4H510838B-VC/LB3
Samsung semiconductor
512mb
B-
die
ddr
sdram
specification
54
stsop
-II (
400mil
x
441mil
)
K4H510838B-VC/LCC
Samsung semiconductor
512mb
B-
die
ddr
sdram
specification
54
stsop
-II (
400mil
x
441mil
)
K4H510838B-NC/LB0
Samsung semiconductor
512mb
B-
die
ddr
sdram
specification
54
stsop
-II (
400mil
x
441mil
)
K4H510838B-N
Samsung semiconductor
512mb
B-
die
ddr
sdram
specification
54
stsop
-II (
400mil
x
441mil
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