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图片
型号
厂商
标准
分类
描述
FDW2504
Fairchild Semiconductor
半导体
dual
P-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
FDW2501NZ_08
Fairchild Semiconductor
dual
N-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
FDW2508
Fairchild Semiconductor
半导体
dual
P-
channel
1.8 V
specified
powertrench
mosfet
FDW2509NZ
Fairchild Semiconductor
common
drain
N-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
FDW2504P_02
Fairchild Semiconductor
dual
P-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
FDY3000NZ_07
Fairchild Semiconductor
dual
N-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
PHM008
Polyfet RF Devices
the
phm008
is a
dual
stage
amplifier
specifically
designed
for
land
mobile
LD1207
ETC
the
ld1207
is
specifically
designed
for
led
display
drivers
NSVA397
New Japan Radio
422
.
2mhz
specified
low
power
radio
station
B3-28
ETC
specifically
designed
for
vhf
broadband
linear
power
amplifier
RD100HHF1
Mitsubishi Electric
mos
fet
type
transistor
specifically
designed
for
HF
high
power
amplifiers
applications
.
SI692DQ
Fairchild Semiconductor
dual
N-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
SI6926DQ
Fairchild Semiconductor
dual
N-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
NSVS614
New Japan Radio
429
.42
mhz
specified
low
power
radio
station
AN202
ETC
testing
and
specifying
fast
logic
FDG6308
Fairchild Semiconductor
半导体
P-
channel
1.8V
specified
powertrench
mosfet
FDJ129
Fairchild Semiconductor
P-
channel
-2.5
vgs
specified
powertrench
mosfet
FDG326
Fairchild Semiconductor
半导体
P-
channel
1.8V
specified
powertrench
mosfet
FDW2509
Fairchild Semiconductor
common
drain
N-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
SI6966
Fairchild Semiconductor
dual
N-
channel
2.5V
specified
powertrench
mosfet
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