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描述
MT49H16M18C
Micron Technology Inc
288mb
sio
reduced
latency
(
rldram
II)
MT49H16M18CFM-xx
Micron Technology Inc
288mb
sio
reduced
latency
(
rldram
II)
MT49H32M9C
Micron Technology Inc
288mb
sio
reduced
latency
(
rldram
II)
MT49H32M9CFM-xx
Micron Technology Inc
288mb
sio
reduced
latency
(
rldram
II)
CY7C1392AV18
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1392AV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1392AV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1392AV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1393AV18
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1393AV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1393AV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1393AV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1394AV18
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
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sram
2-
word
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architecture
CY7C1394AV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1394AV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
CY7C1394AV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
18-
mbit
ddr
-II
sio
sram
2-
word
burst
architecture
K7J161882B
Samsung semiconductor
512kx36
&
1mx18
ddr
II
sio
b2
sram
K7J163682B
Samsung semiconductor
512kx36
&
1mx18
ddr
II
sio
b2
sram
0219001.
Littelfuse Inc
电路保护
5 x 20 mm
time
lag
fuse
(
sio
-
blo
)
fuse
219
series
0219002.
Littelfuse Inc
电路保护
5 x 20 mm
time
lag
fuse
(
sio
-
blo
)
fuse
219
series
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