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2305 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,nar,0 |
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2331 |
Laird Technologies EMI |
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无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,060,psa |
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2333 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,040 |
|
2354 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,094 |
|
2311 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,125,psa |
|
2355 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,094,psa |
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2387 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,sil,0 |
|
2386 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,040,psa |
|
2385 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,040 |
|
2401 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,psa,SH |
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1243 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,N,14.0 |
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2233 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,020,FR |
|
2221 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,sil,0 |
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2138 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,sil,0 |
|
2235 |
Laird Technologies EMI |
|
无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,S,030,FR |
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2234 |
Laird Technologies EMI |
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无源元器件
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
|
rfsw,psa,SH |
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RFSW6132 |
RF Micro Devices |
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机电产品
开关
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the rfsw6132 is a gaas phemt single-pole three-throw (sp3t) |
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RFSW8000 |
RF Micro Devices |
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无源元器件
RF 开关
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the rfsw8000 is a high power single-pole double-throw (spdt) switch designed forhigh performance wireless applications |
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RFSW8001 |
RF Micro Devices |
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无源元器件
RF 开关
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the rfsw8001 is a single pole triple throw (sp3t) soi switch in a 1.5mm x 1.5mm x 0.45mm, Pb-free, 8-pin package |