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Image:        SML-Z14FT(C) SML-Z14FT(C) Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性: 通用标准aec-q101(汽车级)包装类型反光板(plcc2led类型中频= 20ma包装尺寸[mm]3.5x2.8(t = 1.9)发光颜色绿色主波长λD(单)(典型值)[nm]564.0发光强度(单)(典型值)[mcd]45.0正向电流(IF)[mA]20正向电压V F(典型值)[V]2芯片结构铝镓铟磷功耗[mW]175工作温度[°C]-40至100 特点: 高亮度 保证20 / 50ma的规格 plcc2封装 符合aec-q101
Image:       SML-Z14DT(C) SML-Z14DT(C) Rohm Semiconductor 光电子 LED照明 特性: 通用标准aec-q101(汽车级)包装类型反光板(plcc2led类型中频= 20ma包装尺寸[mm]3.5x2.8(t = 1.9)发光颜色橙子主波长λD(单)(典型值)[nm]605.0发光强度(单)(典型值)[mcd]280.0正向电流(IF)[mA]20正向电压V F(典型值)[V]1.9芯片结构铝镓铟磷功耗[mW]168工作温度[°C]-40至100 特点: 高亮度 保证20 / 50ma的规格 plcc2封装 符合aec-q101
Image:      RN1103 RN1103 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2103 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2103 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image:      RN1110 RN1110 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2110 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2110 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image:     RN1112MFV RN1112MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2112mfv aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2112mfv aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image:      RN1113 RN1113 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2113 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2113 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image:      RN1308 RN1308 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2308 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2308 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image:     RN1316 RN1316 Toshiba 半导体 晶体管 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2316 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2316 aec-q101 合格的(*) rohs兼容产品(#) 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image:      InnoSwitch3-AQ InnoSwitch3-AQ Power Integrations 电源 AC DC 转换器 高度集成的紧凑型封装 符合aec-q100 在整个负载范围内效率高达90% 集成了多模式准谐振(QR)/ ccm反激控制器,750 V mosfet和次级侧感应 集成的fluxlink™,hipot隔离的反馈链接 宽输入电压30 vdc550 vdc 使用stackfet的宽输入电压30 vdc921 vdc 晶圆厂,组装厂和测试厂均通过iatf16949认证 ecosmart™–节能 低于15 mW的空载,包括线感 轻松满足所有全球能源效率法规 低散热 先进的保护/安全功能 输出ovp的自动重启故障响应 可选功能 自动重启输出紫外线保护,提供峰值功率输出选项高度集成的紧凑型封装 符合aec-q100 在整个负载范围内效率高达90% 集成了多模式准谐振(QR)/ ccm反激控制器,750 V mosfet和次级侧感应 集成的fluxlink™,hipot隔离的反馈链接 宽输入电压30 vdc550 vdc 使用stackfet的宽输入电压30 vdc921 vdc 晶圆厂,组装厂和测试厂均通过iatf16949认证 ecosmart™–节能 低于15 mW的空载,包括线感 轻松满足所有全球能源效率法规 低散热 先进的保护/安全功能 输出ovp的自动重启故障响应 可选功能 自动重启输出紫外线保护,提供峰值功率输出选项
Image:       AS8510 AS8510 ams 半导体 接口 特征 第一个16位双adcpga数据采集assp,采用零偏移作为灵活的传感器接口 偏移量<1 lsb 噪声<11khz时的lsb,1西格玛 好处 最高精度的双模数转换器,用于信号调节高达4khz 灵活的概念使得在不断发展的电池管理领域上市时间短 完全符合aec-q100特征 第一个16位双adcpga数据采集assp,采用零偏移作为灵活的传感器接口 偏移量<1 lsb 噪声<11khz时的lsb,1西格玛 好处 最高精度的双模数转换器,用于信号调节高达4khz 灵活的概念使得在不断发展的电池管理领域上市时间短 完全符合aec-q100
Image: AUIRFP4409 AUIRFP4409 International Rectifier 半导体 分离式半导体 mosfet auto q101 300v sgl N-CH hexfet
Image: BAT54CWFILMY BAT54CWFILMY STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 40v automotive SS 300ma 7pf aec-q101
Image: BAT54AWFILMY BAT54AWFILMY STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 40v automotive SS 300ma 7pf aec-q101
Image: BAT54WFILMY BAT54WFILMY STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 40v automotive SS 300ma 7pf aec-q101
Image: BAT54SFILMY BAT54SFILMY STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 40v automotive SS 300ma 7pf aec-q101
Image: BAT54FILMY BAT54FILMY STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 40v automotive SS 300ma 7pf aec-q101
Image: AUIRF4905L AUIRF4905L International Rectifier 半导体 分离式半导体 mosfet auto q101 -55v P-Ch hexfet power mosfet
Image: ACPDQC5V0USP-HF ACPDQC5V0USP-HF Comchip Technology 电路保护 ESD 抑制器 esd suppressors 5V auto grade unidir low cap aec-q101
Image: ACPDQC5V0C-HF ACPDQC5V0C-HF Comchip Technology 电路保护 ESD 抑制器 esd suppressors 5V automotive grade bidirection aec-q101
Image: ACPDQC5V0U-HF ACPDQC5V0U-HF Comchip Technology 电路保护 ESD 抑制器 esd suppressors 5V automotive grade uni-direct aec-q101