关键词q10
标准
为您共找出"500+"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: SMA6T47CAY SMA6T47CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T56AY SMA6T56AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 描述 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605的静电放电的影响。平面技术使该设备与在低泄漏电流和高结温的环境中使用的高端电路兼容。要求提供长时间的可靠性和稳定性。sma6TY以sma封装（符合ipc 7531标准的sma封装）。 transil™是意法半导体的商标。 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T56CAY SMA6T56CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T6V7AY SMA6T6V7AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: RN1101MFV RN1101MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2101mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1101 RN1101 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2101 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1102MFV RN1102MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2102mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1102 RN1102 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2102 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1103MFV RN1103MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2103mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1104MFV RN1104MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2104mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: SMA6T6V7CAY SMA6T6V7CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T82CAY SMA6T82CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0
Image: SMB15F10AY SMB15F10AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率：1500 W（10/1000μs）和10 kW（8/20μs） 扁平薄包装：1毫米 隔离电压范围：5 V至64 V 单向型 低泄漏电流：在25°C时为0.2μA，在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：175°C Tj最大值时的高功率能力：1100 W（10/1000 µs） 铅精加工：哑光镀锡
Image: SMB15F11AY SMB15F11AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 所有功能 符合aec-q101 峰值脉冲功率：1500 W（10/1000μs）和10 kW（8/20μs） 扁平薄包装：1毫米 隔离电压范围：5 V至64 V 单向型 低泄漏电流：在25°C时为0.2μA，在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：175°C Tj最大值时的高功率能力：1100 W（10/1000 µs） 铅精加工：哑光镀锡
Image: RN1104 RN1104 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围通用 极性npn 内部连接单 补充产品rn2104 aec-q101合格（*） 提供rohs兼容产品（#） 装配底座
Image: RN1105MFV RN1105MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2105mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1105 RN1105 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2105 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1106MFV RN1106MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2106mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1106 RN1106 Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2106 aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国
Image: RN1107MFV RN1107MFV Toshiba 半导体 二极管/齐纳阵列 适用范围 一般用途 极性 npn 内部连接 单身的 配套产品 rn2107mfv aec-q101 合格的（*） rohs兼容产品（＃） 可用的 组装基地 日本 / 泰国

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号