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图片
型号
厂商
标准
分类
描述
CGY31
Siemens Semiconductor Group
gaas
mmic
(
two
-
stage
monolithic
microwave
IC
mmic
amplifier
all
-
gold
met
all
ization
chip
fully
passivated
)
CFY25
Siemens Semiconductor Group
gaas
fet
(
low
noise
high
gain
for
front
-
end
amplifiers
lon
-
implanted
planar
structure
all
gold
met
all
ization)
MGDBI-10-C-F
ETC
2:1
standard
input
single
& Bi
outputs
metallic
case
- 1.
500
vdc
isolation
MGDSI-10
ETC
2:1
standard
input
single
& Bi
outputs
metallic
case
- 1.
500
vdc
isolation
MGDSI-10-C-B
ETC
2:1
standard
input
single
& Bi
outputs
metallic
case
- 1.
500
vdc
isolation
MGDSI-10-C-C
ETC
2:1
standard
input
single
& Bi
outputs
metallic
case
- 1.
500
vdc
isolation
MGDSI-10-C-E
ETC
2:1
standard
input
single
& Bi
outputs
metallic
case
- 1.
500
vdc
isolation
MGDSI-10-C-F
ETC
2:1
standard
input
single
& Bi
outputs
metallic
case
- 1.
500
vdc
isolation
CGY52
Siemens Semiconductor Group
gaas
mmic
(
two
stages
monolithic
microwave
IC
mmic
Amplifier
all
gold
met
all
isation)
1N970B
Compensated Deuices Incorporated
metallurgically
bonded
1N970B-1
Compensated Deuices Incorporated
metallurgically
bonded
1N970C
Microsemi Corporation
metallurgically
bonded
double
plug
construction
1N970D
Microsemi Corporation
metallurgically
bonded
double
plug
construction
1N980C
Microsemi Corporation
metallurgically
bonded
double
plug
construction
1N980D
Microsemi Corporation
metallurgically
bonded
double
plug
construction
1N981
Microsemi Corporation
metallurgically
bonded
double
plug
construction
1N981A
Microsemi Corporation
metallurgically
bonded
double
plug
construction
1N957B
Compensated Deuices Incorporated
metallurgically
bonded
1N957C
Microsemi Corporation
metallurgically
bonded
double
plug
construction
1N958D
Microsemi Corporation
metallurgically
bonded
double
plug
construction
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