首页
论坛
外包
下载
专栏
专栏首页
通信技术
显示光电
单片机
测试测量
智能硬件
汽车电子
消费电子
工业控制
医疗电子
电路图
物联网
模拟
专访
电源
芯闻号
嵌入式
技术学院
公众号精选
厂商动态
新基建
中国芯
端侧AI
Datasheet
公开课
更多
阅读
21ic专访
编辑视点
专题
会展
高端访谈
新基建
技术
通信技术
显示光电
单片机
测试测量
智能硬件
汽车电子
消费电子
工业控制
医疗电子
开发板
物联网
模拟
电源
嵌入式
资讯
新品
应用
技术专访
基础知识
中国芯
互动
论坛
外包
招聘
课程
公开课
在线研讨会
TI在线培训
资源
下载
电路图
Datasheet
在线计算器
开发板试用
厂商
登录
|
注册
论坛
论坛
Datasheet
文章
下载
关键词
mdmesh
标准
为您共找出
"321"
个相关器件
首页
<
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
>
末页
图片
型号
厂商
标准
分类
描述
W45NM50
STMicroelectronics
N-
channel
550v
tjmax
- 0.
08ohm
-
45a
TO-
247
mdmesh
TM
mosfet
STB20NM50_07
STMicroelectronics
N-
channel
500v
- 0.20?? -
20a
-
to220
/FP-
d2pak
-
i2pak
mdmesh
??
power
mosfet
STL20NM20N_06
STMicroelectronics
N-
channel
200v
- 0.
088
?? -
20a
powerflat
??
ultra
low
gate
charge
mdmesh
?? II
mosfet
160N75F3
STMicroelectronics
N-
channel
75v
- 3.5m
ohm
-
120a
- TO-
220
- TO-
247
-
d2pak
mdmesh
TM
low
voltage
power
mosfet
STD60N55
STMicroelectronics
半导体
N-
channel
55v
- 8.
0mз
-
65a
-
dpak
-
ipak
mdmesh
⑩
low
voltage
power
mosfet
STD60N55-1
STMicroelectronics
N-
channel
55v
- 8.
0mз
-
65a
-
dpak
-
ipak
mdmesh
⑩
low
voltage
power
mosfet
STB180N55
STMicroelectronics
半导体
N-
channel
55v
- 2.9m-
ohm
-
120a
- D-2
pak
- TO-
220
mdmesh
-TM
low
voltage
power
mosfet
STH13N120K5-2AG
STMicroelectronics
半导体
晶体管
采用
h2pak
-2封装的汽车级N通道
1200
V,典型值
630
mohm
,12 A
mdmesh
K5功率
mosfet
STW70N65DM6
STMicroelectronics
半导体
晶体管
采用TO-
247
封装的N沟道
650
V,典型值为
360
mohm
,68 A
mdmesh
dm6
功率
mosfet
STWA70N65DM6
STMicroelectronics
半导体
晶体管
N通道
650
V,
360
mohm
典型值,68 A
mdmesh
dm6
功率
mosfet
,采用TO-
247
长引线封装
STB16N90K5
STMicroelectronics
半导体
晶体管
采用
d2pak
封装的N沟道
900
V,典型值
280
mohm
,15 A
mdmesh
K5功率
mosfet
STB18N60M6
STMicroelectronics
半导体
晶体管
采用
d2pak
封装的N沟道
600
V,
230
mohm
典型值,13 A
mdmesh
M6功率
mosfet
STB46N60M6
STMicroelectronics
半导体
晶体管
采用
d2pak
封装的N沟道
600
V,典型值为68
mohm
,36 A
mdmesh
M6功率
mosfet
STF16N90K5
STMicroelectronics
半导体
晶体管
N沟道
900
V,典型值
280
mohm
,15 A
mdmesh
K5功率
mosfet
,采用TO-
220fp
封装
STL10N60M6
STMicroelectronics
半导体
晶体管
采用
powerflat
5x6
HV封装的N沟道
600
V,典型
550
mohm
,5.5 A
mdmesh
M6功率
mosfet
STL11N65M2
STMicroelectronics
半导体
晶体管
N通道
650
V,0.62
ohm
典型值,5 A
mdmesh
M2功率
mosfet
,采用
powerflat
5x5
HV封装
STL17N60M6
STMicroelectronics
半导体
晶体管
N沟道
600
V,0.29
ohm
典型值,12 A
mdmesh
M6功率
mosfet
,采用
powerflat
8x8
封装
STL47N60M6
STMicroelectronics
半导体
晶体管
N通道
600
V,典型值70
mohm
,31 A
mdmesh
M6功率
mosfet
,采用
powerflat
8x8
HV封装
STL9N65M2
STMicroelectronics
半导体
二极管,整流器 - 阵列
N通道
650
V,典型值为0.85欧姆,4.5 A
mdmesh
M2功率
mosfet
,采用
powerflat
5x5
HV封装
STW70N60DM6-4
STMicroelectronics
半导体
晶体管
N通道
600
V,36
mohm
典型值,62 A
mdmesh
dm6
功率
mosfet
,采用
to247
-4封装
首页
<
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
>
末页
6689067
6735075
6745723
6759441
7943317
7943318
8063387
8088779
8088780
8088781
8088806
8088807
8088808
8088809
8088814
8088815
8088816
8088818
8088819
8088821