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Image: MC14106B MC14106B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14106b十六进制施密特触发器由mos P通道和N通道增强模式器件以单个整体结构构成。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。mc14106b可以代替mc14069ub十六进制逆变器使用，以增强抗噪能力或“叠加”缓慢变化的波形。 特性 mc14584b上增加的磁滞电压 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 cd40106b和mm74c14的引脚换引脚 可用于替换mc14584b或mc14069ub 提供无铅封装*
Image: MC14584B MC14584B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14584b 六路施密特触发器是使用 mos P 沟道和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。mc14584b 可用来代替 mc14069ub 六路逆变器，以增强抗扰度，适应缓慢变化的波形。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 可以用来替代mc14069ub 要获得更大的滞后性，请使用mc14106b，这是cd40106b和mm74cl4的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14070B MC14070B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14070b 四互斥 OR 门极和 mc14077b 四互斥 nor 门极在一个单片结构中使用 mos P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些互补 mos 逻辑门极主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 mc14070b-替换cd4030b和cd4070b类型 mc14077b-替代cd4077b类型 提供无铅封装*
Image: MC14077B MC14077B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14070b四路“异或”门和mc14077b四路“异或”门由mos P通道和N通道增强模式器件以单个整体结构构成。这些互补的mos逻辑门主要用于要求低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有双二极管保护 mc14070b-替换cd4030b和cd4070b类型 mc14077b-替代cd4077b类型 提供无铅封装*
Image: MC14093B MC14093B ON Semiconductor 半导体 逻辑 mc14093b 施密特触发器在一个单片结构中使用 mos P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些器件主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。mc14093b 可以替代 mc14011b 四路 2 输入 nand 门极，实现更高抗扰度，或对慢慢变化的波形进行“方形整形”。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载 所有输入均具有三重二极管保护 与cd4093引脚兼容 可用于替换mc14011b 每个输入都有独立的施密特触发器 提供无铅封装*
Image: 13193EVB-A00 13193EVB-A00 Freescale Semiconductor 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 board eval for mc13192,mc13193
Image: MC100E016 MC100E016 ON Semiconductor 集成电路 时钟/计时 - 专用 mc10e/100E016 是一款高速同步、可预设置、可级联 8 位二进制计数器。结构和运行与 mecl 10h 系列中的 MC10h016 相同，可扩展到 8 位，如逻辑符号所示。该计数器具有指向由 tcld（终端计数负载）引脚进行门控的 tcbar 的内部反馈。当 tcld 为低电平（或保持开路状态，此时通过内部下拉拉至低电平）时，tcbar 反馈禁用，计数继续进行，tcbar 变为低电平，表明统一状态。当 tcld 为高电平时，TC 会导致计数器在 tcbar =低电平时自动重新加载，因此就好像一个可编程计数器一样。Qn 输出不需要端接即可使得计数功能正常运行。为了最大程度减少噪声和功耗，未使用的 Q 输出应保持无端接。100 系列包含了温度补偿。
Image: MC100EP016A MC100EP016A ON Semiconductor 集成电路 时钟/计时 - 专用 MC100EP016A 是一款高速同步、可预设置、可级联 8 位二进制计数器。 结构和运行与 eclinps 系列中的 MC100E016 相同。该计数器具有指向由 tcld（终端计数负载）引脚进行门控的 tcbar 的内部反馈。当 tcld 为 low（或保持开路状态，此时通过内部下拉拉至 low）时，tcbar 反馈禁用，计数继续进行，tcbar 变为 low，表明统一状态。当 tcld 为 high 时，TC 会导致计数器在 TC = low 时自动重新加载，因此就好像一个可编程计数器一样。Qn 输出不需要端接即可使得计数功能正常运行。为了最大程度减少噪声和功耗，未使用的 Q 输出应保持无端接。cout 和 coutbar 从一个非级联计数器或分压器应用提供差分输出。cout 和 coutbar 不应用于级联配置。只有 tcbar 应用于计数器或除法器级联链输出。增加了差分时钟输入来提高性能。100 系列包含了温度补偿。
Image: MC12026A MC12026A ON Semiconductor 集成电路 时钟/计时 - 专用 mc12026 是一款高频低电压双模预分频器，用于锁相环路 (pll) 应用。mc12026A 可与 cmos 合成器一起使用，需要上升沿触发 pll 中的内部计数器，从而以可编程的频率步进提供高达 1.1 ghz 的调谐信号。分频比控制 (SW) 允许根据需要选择 8/9 或 16/17 的分频比。将 SW 偏置以选择所需的分频比后，模量控制 (MC) 会选择合适的除数。
Image: MC14001B MC14001B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B系列逻辑门在单个整体结构（互补mos）中由P和N通道增强模式器件构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14011B MC14011B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14023B MC14023B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14025B MC14025B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14071B MC14071B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14073B MC14073B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B系列逻辑门由P和N通道增强模式器件以单个整体结构（互补mos）构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14081B MC14081B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B系列逻辑门由P和N通道增强模式器件以单个整体结构（互补mos）构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: MC14082B MC14082B ON Semiconductor 半导体 逻辑 B 系列逻辑门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 mos）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 vdc至18 vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗ttl负载或一个低功耗肖特基ttl负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：mc14011b和mc14081b上具有三二极管保护 对应cd4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*
Image: EM256502H EM256502H Cooper Bussmann 连接器 接线端子板 pluggable terminal blocks keep 1600 euro mc100-50802
Image: EM256504H EM256504H Cooper Bussmann 连接器 接线端子板 pluggable terminal blocks euro mc100-50804
Image: EM241608 EM241608 Cooper Bussmann 连接器 接线端子板 pluggable terminal blocks euro mc101-76208

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