|
TLP280(GB-TP,F,T) |
Toshiba |
 |
光电子
光耦合器/光电耦合器
|
晶体管输出光电耦合器 80vceo 2500vrms AC input |
|
|
TLP281-4(GB-TP,J,F |
Toshiba |
|
光电子
光耦合器/光电耦合器
|
晶体管输出光电耦合器 80vceo 2500vrms 4 channels |
|
|
TLP281(GB-TP,F) |
Toshiba |
|
光电子
光耦合器/光电耦合器
|
晶体管输出光电耦合器 80vceo 2500vrms standard |
|
|
TLP181(GB-TPR,F,T) |
Toshiba |
|
光电子
光耦合器/光电耦合器
|
晶体管输出光电耦合器 80vceo 3750vrms high ctr |
|
|
TLP181(GR-TPR,F,T) |
Toshiba |
|
光电子
光耦合器/光电耦合器
|
晶体管输出光电耦合器 80vceo 3750vrms high ctr |
|
|
TLP280-4(GB,F) |
Toshiba |
|
光电子
光耦合器/光电耦合器
|
晶体管输出光电耦合器 80vceo 2500vrms AC input |
|
|
TLP280(GB,F) |
Toshiba |
|
光电子
光耦合器/光电耦合器
|
晶体管输出光电耦合器 80vceo 2500vrms AC input |
|
|
TLP181TPRFT |
Toshiba |
|
光电子
光耦合器/光电耦合器
|
晶体管输出光电耦合器 80vceo 3750vrms high ctr |
|
|
FQI58N08 |
Fairchild Semiconductor |
|
|
80v N-channel mosfet(漏源电压为80v的N沟道增强型mosfet) |
|
|
FQB58N08 |
Fairchild Semiconductor |
|
|
80v N-channel mosfet(漏源电压为80v的N沟道增强型mosfet) |
|
LT8708 |
Analog Devices Inc |
|
电源
电源管理 IC
|
单个电感器允许 vin 高于、低于或等于 vout 六种独立的调节模式 vin 电流（正向和反向） vout 电流（正向和反向） vin 和 vout 电压 支持正向和反向断续导通模式 切换时，支持 mode 和 dir 引脚变化 vinCHIP 范围： 2.8V（需要 extvcc > 6.4V）至 80v vout 范围：1.3V 至 80v 同步整流：效率高达 99% 采用具有高电压引脚间距的 40 引脚 (5mm × 8mm) qfn 封装以及 64 引脚 (10mm × 10mm) elqfp 封装 |
|
INA271-HT |
Texas Instruments |
|
半导体
晶体管
|
宽共模范围:-16v 至 + 80vcmrr: 78dbaccuracy: ± 10mv 偏移(max) ± 7.5% 增益误差(max)100v/° c 偏移漂移(max)带宽: 高达130khztransfer function: 20v/vquiescent: 1600a (max) power supply: + 2.7 v 至 + 18 v 过滤应用规定井下钻孔温度环境支持极端温度应用可控基准元件组装/测试场所制造场所可用于极端(- 55 ° c/210 ° c)温度范围(1)延长产品寿命周期产品更改通知产品可控性德州仪器高温产品利用高度优化的设计和工艺改进解决方案，最大限度地提高性能超长温度。 |
|
DAC121S101QML-SP |
Texas Instruments |
|
半导体
晶体管
|
宽共模范围:-16v 至 + 80vcmrr: 78dbaccuracy: ± 10mv 偏移(max) ± 7.5% 增益误差(max)100v/° c 偏移漂移(max)带宽: 高达130khztransfer function: 20v/vquiescent: 1600a (max) power supply: + 2.7 v 至 + 18 v 过滤应用规定井下钻孔温度环境支持极端温度应用可控基准元件组装/测试场所制造场所可用于极端(- 55 ° c/210 ° c)温度范围(1)延长产品寿命周期产品更改通知产品可控性德州仪器高温产品利用高度优化的设计和工艺改进解决方案，最大限度地提高性能超长温度。 |
|
UPJ1K391MHD6 |
Nichicon |
 |
无源元器件
电容器
|
aluminum electrolytic capacitors - leaded 80volts 390uf 18x20 20% 7.5ls |
|
ESMH500VNN222MQ30T |
United Chemi-Con |
|
无源元器件
电容器
|
aluminum electrolytic capacitors - snap In 2200uf 80volts |
|
LNR1K223MSE |
Nichicon |
|
无源元器件
电容器
|
aluminum electrolytic capacitors - screw terminal 80volts 22000uf 85c 51x80 |
|
UCD1K151MNQ1MS |
Nichicon |
|
无源元器件
电容器
|
aluminum electrolytic capacitors - smd 80volts 150uf 105c 12.5x13.5 |
|
LNT1K223MSE |
Nichicon |
|
无源元器件
电容器
|
aluminum electrolytic capacitors - screw terminal 80volts 22000uf 105c 63.5x100 |
|
UPM1K4R7MDD |
Nichicon |
|
无源元器件
电容器
|
aluminum electrolytic capacitors - leaded 80volts 4.7uf 5x11 20% |
|
|
UPJ1K330MPD |
Nichicon |
|
无源元器件
电容器
|
aluminum electrolytic capacitors - leaded 80volts 33uf 8x11.5 20% |
