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Image: ISO6741 ISO6741 Texas Instruments 半导体 隔离器 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 在1060 vrms工作电压下的高寿命 高达5000 vrms的隔离等级 高达10 kV浪涌能力 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71 V至5.5 V电平转换 默认输出高（iso674x）和低（iso674xF）选项 温度范围广：–40°C至125°C 1 mbps时，每个通道1.6 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放 宽soic（DW-16）封装 安全相关认证（待定）： din V vde 0884-11:2017-01 UL 1577部件识别程序
Image: ISO6741-Q1 ISO6741-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 aec-q100符合以下结果： 设备温度等级1：–40°C至+125°C环境工作温度范围 满足vda320隔离要求 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 在1060 vrms工作电压下的高寿命 高达5000 vrms的隔离等级 高达10 kV浪涌能力 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71 V至5.5 V电平转换 默认输出高（iso674x）和低（iso674xF）选项 1 mbps时，每个通道1.6 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放
Image: ISO6721 ISO6721 Texas Instruments 半导体 隔离器 50 mbps数据速率 坚固的隔离屏障： 450 vrms工作电压下的高寿命 高达3000 vrms的隔离等级 ±75 kV/µs典型cmti 宽电源范围：1.71 V至1.89 V和2.25 V至5.5 V 1.71-V至5.5-V电平转换 默认输出高（iso6721b）和低（iso6721fb）选项 宽温度范围：-40°C至+125°C 1 mbps时，每个通道1.8 mA 低传播延迟：11 ns典型值 强大的电磁兼容性（emc） 系统级esd、eft和浪涌抗扰度 ±8 kV iec 61000-4-2隔离栅接触放电保护 低排放
Image: AMC1204 AMC1204 Texas Instruments 半导体 二极管/齐纳阵列 针对分流电阻器进行优化的 ±250mv 输入电压范围 安全相关认证： 符合 din vde V 0884-11: 2017-01 标准的 4250vpk (amc1204b) 基础型隔离 3005vrms (amc1204b) 隔离长达 1 分钟，符合 ul1577 标准 符合 can/csa No. 5A 组件验收服务通知和 din EN 61010-1 标准 工作电压：1200vpeak 瞬态抗扰度：15kv/µs 高电磁场抗扰度 （请参阅 slla181a 应用报告） 出色的交流性能： snr：84db（最小值） thd：–80db（最大值） 出色的直流精度： inl：±8 lsb（最大值） 增益误差：±2%（最大值） 外部时钟输入，可轻松实现同步 完整的额定工作温度范围
Image: MAX13223E MAX13223E Maxim Integrated 半导体 接口 主要特征 ±70v故障保护 +3.0V至+5.5V电源电压 过压限流 发送器输出具有电流保护 自动关断(autoshutdown) 250kbps (最大值)数据速率 关断模式下电流消耗仅为1µA (典型值) 热关断保护 ±8kv iec 61000-4-2接触放电 -40°C至+85°C工作温度范围 应用/用途 基站 工业设备 pos终端设备 电信设备 远程信息处理设备 电表
Image: ESDA9P25-1T2 ESDA9P25-1T2 STMicroelectronics 电路保护 浪涌抑制器 低箝位电压 单向二极管 低泄漏电流 sod882t（0402）包装 符合ecopack2的组件 超过iec 61000-4-2 4级标准： ±30 kV（空气放电） ±30 kV（接触放电）
Image: ESDA9P25-1T2 ESDA9P25-1T2 STMicroelectronics 电路保护 电涌抑制 IC 低箝位电压 单向二极管 低泄漏电流 sod882t（0402）包装 符合ecopack2的组件 超过iec 61000-4-2 4级标准： ±30 kV（空气放电） ±30 kV（接触放电）
Image: ESDCAN03-2BM3Y ESDCAN03-2BM3Y STMicroelectronics 电路保护 浪涌抑制器 aec-q101 qualified dual-line esd and eos protection triggering voltage, vtrig min = 28 V qfn-3L 1.1 x 1.0 x 0.55 package also called dfn1110 bidirectional device max pulse power up to 3.3 A (8/20 μs) low clamping factor vcl / vbr low leakage current ecopack2 rohs compliant component ul94, V0 J-std-020 msl level 1 ipc7531 footprint and jedec registered package iso 16750-2 (jump start and reversed battery tests) iso 10605 / iec 61000-4-2- C = 150 pF, R = 330 Ω, exceeds level 4: ±15 kV (contact discharge) iso 10605 - C = 330 pF, R = 2 kΩ: ±30 kV (contact discharge) iso 10605 - C = 330 pF, R = 330 Ω: ±12 kV (contact discharge) iso 7637-3: pulse 3a: -150 V pulse 3b: +150 V pulse 2a: +/- 85 V
Image: ESDX051-2BU3 ESDX051-2BU3 STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 超低二极管电容：0.13 pF 双向装置，0201内2线 低泄漏电流 0201包 符合ecopack2的组件 符合iec 61000-4-2 4级 ±15 kV（空气放电） ±8 kV（接触放电）
Image: OCVPB21-13F6 OCVPB21-13F6 STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 电池充电过程中，电缆和充电电路之间的usb接口保护： 超过esd iec 61000-4-2电缆侧4级保护：桥输入端±15 kV触点，usb数据线输入端±12 kV触点 利用13 V输入整流电桥检测充电电缆的极性，并在电缆反转的情况下重新布线 高达±13 V的过压保护（ovp） 过电流保护（ocp）外部可从100 mA调节至500 mA 可控涌流 超温保护 欠压闭锁 5 V usb 2.0数据线保护和多路复用器，用于数据线极性校正（ron=6Ω典型值） 标志输出信号（开漏）可用于通知热关机或过压或过流或未完成的启动阶段 建议采用400µm间距wlcsp封装13个凸块 工作温度-30°C至65°C
Image: AS7263 AS7263 ams 传感器，变送器 光学传感器 特征 集成干涉滤光片直接沉积在标准cmos硅片上 6个近红外通道：610nm，680nm，730nm，760nm，810nm和860nm，每个均具有20nm的fwhm 片上集成微控制器，功耗低 2个集成的led驱动器 可选接口uart或I²C 工厂校准 好处 在整个温度和使用寿命内稳定的过滤条件 检测近红外光谱中的光谱指纹 片上信号处理，降低了硬件成本 样品照明，无需外部led驱动器 轻松连接到移动设备或外部µcontroller
Image: VS-ST173C10CFP1 VS-ST173C10CFP1 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 scr modules 330 amp 1000 volt 610 amp IT(rms)
Image: VS-ST173C10CFK1 VS-ST173C10CFK1 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 scr modules 330 amp 1000 volt 610 amp IT(rms)
Image: VS-ST173C12CFP1 VS-ST173C12CFP1 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 scr modules 330 amp 1200 volt 610 amp IT(rms)
Image: VS-ST173C12CFK1 VS-ST173C12CFK1 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 scr modules 330 amp 1200 volt 610 amp IT(rms)
Image: ST173C12CFK0L ST173C12CFK0L Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 scr modules 330 amp 1200 volt 610 amp IT(rms)
Image: VS-10UT10 VS-10UT10 Vishay Siliconix 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 10 amp 100 volt 610 amp ifsm
Image: 20CWT10FNTR 20CWT10FNTR Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 2x10 amp 100 volt 610 amp ifsm
Image: 10WT10FNTR 10WT10FNTR Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 10 amp 100 volt 610 amp ifsm
Image: 10WT10FNTRR 10WT10FNTRR Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 schottky diodes & rectifiers 10 amp 100 volt 610 amp ifsm

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