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Image: MC34074AD MC34074AD ON Semiconductor 半导体 运算放大器 3-44v quad 3mv vio
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Image: LM324AN LM324AN ON Semiconductor 半导体 集成电路(IC) 运算放大器 3-32v quad 3mv vio
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Image: MC33071AD MC33071AD ON Semiconductor 半导体 运算放大器 3-44v single 3mv vio
Image: MC34074AP MC34074AP ON Semiconductor 半导体 运算放大器 3-44v quad 3mv vio
Image: AMC3330-Q1 AMC3330-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 符合面向汽车应用的 aec-q100 标准： 温度等级 1: – 40 ° C 至 125 ° C 、 T A 3.3V 或 5V 单电源运行，具有集成直流/直流转换器 ±1V 输入电压范围，针对具有高输入阻抗的电压测量进行了优化 固定增益：2.0 低直流误差： 增益误差：±0.2%（最大值） 增益漂移：±45ppm/°C（最大值） 失调电压误差：±0.3mv（最大值） 温漂±4µV/°C（最大值） 非线性度：±0.02%（最大值） 高 cmti: 85kv/µs（最小值） 系统级诊断功能 安全相关认证： 符合 din vde V 0884-11 (vde V 0884-11) 标准的 6000vpk 增强型隔离：2017-01 符合 ul1577 标准且长达 1 分钟的 4250v<sub>1rmssub>2 隔离 符合 cispr-11 和 cispr-25 emi 标准
Image: AMC3330 AMC3330 Texas Instruments 半导体 隔离器 3.3V 或 5V 单电源运行，具有集成直流/直流转换器 ±1V 输入电压范围，针对具有高输入阻抗的电压测量进行了优化 固定增益：2.0 低直流误差： 增益误差：±0.2%（最大值） 增益漂移：±45ppm/°C（最大值） 失调电压误差：±0.3mv（最大值） 温漂±4µV/°C（最大值） 非线性度：±0.02%（最大值） 高 cmti: 85kv/µs（最小值） 系统级诊断功能 安全相关认证： 符合 din vde V 0884-11 (vde V 0884-11) 标准的 6000vpk 增强型隔离：2017-01 符合 ul1577 标准且长达 1 分钟的 4250v<sub>1rmssub>2 隔离 符合 cispr-11 和 cispr-25 emi 标准
Image: LM2901EP LM2901EP Texas Instruments 半导体 晶体管 宽电源电压范围: 2901:2ー36vdcor ± 1ー ± 18vdcvery low 电源电流漏极(0.8 ma)ー与电源电压无关的输入偏置电流: 25nalow 输入偏置电流: ± 5naoffset 电压: ± 3mvinput 共模电压范围包括与电源电压饱和输出电压相等的 gnddifferential 输入电压范围: 250mv 在4个与 ttl、 dtl、 ecl、 mos 和逻辑系统兼容的最大输出电压下
Image: LMH6723 LMH6723 Texas Instruments 半导体 晶体管 宽电源电压范围 m2901:2ー36vdcor ± 1ー ± 18vdclarge 信号带宽和摆率100% tested370mhz 带宽(av = 1，vout = 0.5 vpp)-3 db bw260mhz (av = + 2 v/v，vout = 0.5 vpp)-3 db bw1 ma 电源电流电流电流输出 t110ma，0.03% ,0.11 ° 差分增益，0.1 db 增益平坦度至100mhz/fast 转换速率: 600v/sunity 增益稳定单位供应范围为4.5ー12v,(lmh6723)甚低电源电流漏极(0.8 ma)ー与电源电压无关的输入偏置电流: 25nalow 输入偏置电流: ± 5nalow 输入偏置电压: ± 3mvv 输入共模电压范围包括 gndmr 差分输入电压范围等于电源电压低输出饱和电压: 250mv，在与 ttl，dtl，ecl，mos 和逻辑系统兼容的4倍输出电压下

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