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Image:              AP3585B AP3585B Diodes Incorporated 半导体 微控制器 电源电压:4.5V至13.2V V IN输入范围:3.3V至12v 0.8V / 0.6V至vin输出范围的80% 内部基准:0.8V / 0.6V 简单的单回路控制 电压模式pwm控制 占空比:0%至80% 快速瞬态响应 具有6V /μs压摆率的10mhz高带宽误差放大器 固定振荡器频率:300khz / 200khz 无损可编程过流保护(使用较低的mosfet R DS(ON)) 启动进入预偏置负载 内置热关断 内置软启动 过流保护 过压保护 欠压保护 集成启动二极管 完全无铅且完全符合rohs 不含卤素和锑。“绿色”设备
Image:              AP3585A AP3585A Diodes Incorporated 半导体 微控制器 电源电压:4.5V至13.2V vin输入范围:3.3V至12v 0.8V / 0.6V至V IN输出范围的80% 内部基准:0.8V / 0.6V 简单的单回路控制 电压模式pwm控制 占空比:0%至80% 快速瞬态响应 具有6V /μs压摆率的10mhz高带宽误差放大器 固定振荡器频率:300khz / 200khz 无损可编程过流保护(使用较低的mosfet R DS(ON)) 启动进入预偏置负载 内置热关断 内置软启动 过流保护 过压保护 欠压保护 集成启动二极管 完全无铅且完全符合rohs 不含卤素和锑。“绿色”设备
Image:              AP3583A AP3583A Diodes Incorporated 半导体 微控制器 ap3583 / A是一款简单的单相同步降压控制器。它采用5V或12v电源电压工作,可提供低至0.6V的高质量输出电压。该器件以固定的200khzap3583)或300khzap3583A)频率工作,并在效率,外部组件尺寸和成本之间实现了最佳折衷。借助集成的线性稳压器自举二极管和N沟道mosfet栅极驱动器,ap3583 / A可以减少外部组件数量和电路板空间要求。ap3583 / A支持跟踪模式和独立模式操作。在跟踪模式下,输出电压被严格调节为0.4V至3V的外部基准电压,而在独立模式下,其内部基准电压则为0.6V。其他功能包括内部软启动,欠压保护,过流保护和关机功能。具有上述功能,该部分为客户提供了紧凑,高效,保护良好且具有成本效益的解决方案。ap3583 / A采用psop-8封装。
Image:               UC2950 UC2950 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 源或汇4.0A 电源电压为35v 大电流输出二极管 三态运行 ttlcmos输入兼容性 过温度保护 300khz操作 低成本TO-220套餐
Image:    AS89000 AS89000 ams 半导体 接口 特征 四通道电阻跨阻放大器 可编程8级-25 kΩ至20 MΩ,25 nA至20μA,6至300 khz 输入容量综合补偿 利用通道4实现片上温度补偿 掉电模式 输出模拟电压值 好处 电流输出传感器的信号调节 在每个固件的8个阶段中调整跨阻 适用于6至300khz范围内的信号频率 cob-安装和smd 低功耗