关键词2812
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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T95C107K016CSBL | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 100uf 16v 10% 2812 | ||
T95C685M050EASS | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 6.8uf 50v 20% 2812 | ||
T95C685M050EAAS | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 6.8uf 50v 20% 2812 | ||
T95C106K025CSBL | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 10uf 25v 10% 2812 | ||
T95C475K050CABL | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 4.7uf 50v 10% 2812 | ||
T95C106K025LABS | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 10uf 25v 10% 2812 | ||
T95C475K050LABS | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 4.7uf 50v 10% 2812 | ||
T95C337M6R3EBAL | Vishay Sprague | 无源元器件 钽电容器 | cap tant 330uf 6.3V 20% 2812 | ||
70220-1495 | Omron Automation and Safety | 测试和测量 工业设备 | universal mat umq-2812-A | ||
TMS320R2812 | Texas Instruments | 半导体 微控制器 | 高性能静态cmos工艺 150兆赫(6.67纳秒周期) 低功耗(135 mhz时为1.8 V核,150 mhz时为1.9 V核,3.3 V I/O)设计 jtag边界扫描支持 高性能32位cpu(tms320c28x) 16 x 16和32 x 32 mac操作 16 x 16双mac 哈佛巴士架构 原子操作 快速中断响应和处理 统一内存编程模型 4M线性程序/数据地址范围 代码高效(C/C++和汇编) 与f2810、f2811和F2812设备兼容的代码和引脚 tms320f24x/lf240x处理器源代码兼容 片上存储器 20k x 16总单访问ram(SAram) L0和L1:2块4K x 16,每个SAram L2和L3:2块1K X 16 SAram H0:1块8K x 16 SAram M0和M1:2块1K x 16,每个SAram spi、sci和gpio引导加载程序模式,支持将代码从片外源加载到片内ram。spi引导模式支持从外部串行EEProm加载。 启动rom(4K x 16) 使用软件启动模式 标准数学表 外部接口(2812) 总内存高达1M 可编程等待状态 可编程读/写选通时序 三个独立芯片选择 时钟和系统控制 支持动态pll比率更改 片上振荡器 看门狗定时器模块 三次外部中断 支持45个外围中断的外围中断扩展(pie)块 三个32位cpu定时器 电机控制外围设备 两名活动经理(eva、evb) 兼容240xa设备 | ||
TMS320R2811 | Texas Instruments | 半导体 微控制器 | 高性能静态cmos工艺 150兆赫(6.67纳秒周期) 低功耗(135 mhz时为1.8 V核,150 mhz时为1.9 V核,3.3 V I/O)设计 jtag边界扫描支持 高性能32位cpu(tms320c28x) 16 x 16和32 x 32 mac操作 16 x 16双mac 哈佛巴士架构 原子操作 快速中断响应和处理 统一内存编程模型 4M线性程序/数据地址范围 代码高效(C/C++和汇编) 与f2810、f2811和F2812设备兼容的代码和引脚 tms320f24x/lf240x处理器源代码兼容 片上存储器 20k x 16总单访问ram(SAram) L0和L1:2块4K x 16,每个SAram L2和L3:2块1K X 16 SAram H0:1块8K x 16 SAram M0和M1:2块1K x 16,每个SAram spi、sci和gpio引导加载程序模式,支持将代码从片外源加载到片内ram。spi引导模式支持从外部串行EEProm加载。 启动rom(4K x 16) 使用软件启动模式 标准数学表 外部接口(2812) 总内存高达1M 可编程等待状态 可编程读/写选通时序 三个独立芯片选择 时钟和系统控制 |