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Image: LQW2UAS82NJ00L LQW2UAS82NJ00L Murata Electronics 无源元器件 电感器 fixed inductors 82nh 1000ma 1000mhz
Image: MASWSS0103TR-3000 MASWSS0103TR-3000 MACOM 半导体 射频半导体 RF switch ics 5-1000mhz 75ohm IL 1.0db at 1000mhz
Image: S10040200P S10040200P PREMIER DEVICES, INC. gaas push pull hybrid 40 - 1000mhz 20db min. gain @ 1000mhz 260ma max. @ 24vdc
Image: S10040220P S10040220P PREMIER DEVICES, INC. gaas push pull hybrid 40 - 1000mhz 22db min. gain @ 1000mhz 270ma max. @ 24vdc
Image: S10040240P S10040240P PREMIER DEVICES, INC. gaas push pull hybrid 40 - 1000mhz 24.0db min. gain @ 1000mhz 255ma max. @ 24vdc
Image: S10040280GT S10040280GT PREMIER DEVICES, INC. gaas push pull hybrid 40 - 1000mhz 28.0db min. gain @ 1000mhz 260ma max. @ 24vdc
Image: BlueNRG-2 BlueNRG-2 STMicroelectronics 半导体 无线连接 符合bluetooth 5.0规范的低功耗蓝牙单模片上系统： 主设备、从设备及多重角色 LE数据包长度扩展 工作电压：1.7 至 3.6 V 集成线性稳压器和DC-DC降压转换器 工作温度范围：-40 °C至105 °C 基于高性能、超低功耗cortex-M0 32位架构内核 可编程的256 kB闪存 具有保持功能的24 kB ram（两个12 kB存储区） 1 x uart接口 1 x spi接口 2 x I²C接口 14、15或26个gpio 2 x 多功能定时器 10位adc 看门狗和实时时钟 dma控制器 pdm流处理器 16 或 32 mhz 晶振 32 khz晶体振荡器 32 khz环形振荡器 电池电压和温度传感器 可达到最高+8 dbm输出功率（在天线连接器处） 卓越的射频链路设计余量（高达96 dB） 精确的rssi，有助于控制功耗 8.3 mA TX 电流 (@ -2 dbm, 3.0 V) 使用有源ble栈，电流消耗低至1μA（睡眠模式） 可提供ST配套集成平衡-不平衡变换器/滤波器芯片 使用纽扣电池（cr2032， 230mah) 供电， 广告间隔1000ms，平均电流损耗为15.34ua，时长：1年8个月19天。 使用纽扣电池（cr2032， 230mah) 供电， 连接状态下时间间隔为1000ms，平均电流损耗为7.059ua，时长：3年10个月12天。 适用于构建符合以下射频规定的应用：etsi EN 300 328、EN 300 440、fcc cfr47第15部分、arib std-t66 预置bootloader，可通过uart进行软件升级。 qfn32、qfn48和wcsp34封装选项
Image: MA4P4301F-1091T MA4P4301F-1091T MACOM 半导体 分离式半导体 pin diodes .1-1000mhz 2.0pf max Vr 100vdc
Image: MA4P4006F-1091T MA4P4006F-1091T MACOM 半导体 分离式半导体 pin diodes .1-1000mhz 2.0pf max Vr 600vdc
Image: MAAM-009455-TR1000 MAAM-009455-TR1000 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF jfet 50-1000mhz gain 20db NF=5.5db
Image: MAAM-009455-TR3000 MAAM-009455-TR3000 MACOM 半导体 分离式半导体 transistors RF jfet 50-1000mhz gain 20db NF=5.5db
Image: ASMA301 ASMA301 Advanced Semiconductor, Inc. 半导体 分离式半导体 transistors RF bipolar 1-1000mhz gain block NF=6.5db max. 50 ohm
Image: AT10-0009TR AT10-0009TR MACOM 半导体 射频半导体 active attenuator 800-1000mhz IL:4.3 vswr: 2.0 max
Image: MAX9986ETP MAX9986ETP Maxim Integrated 半导体 射频半导体 Up-down converters sige 815-1000mhz downconversion mixer
Image: MAX9986ETP-T MAX9986ETP-T Maxim Integrated 半导体 射频半导体 Up-down converters sige 815-1000mhz downconversion mixer
Image: MAX9985ETX-T MAX9985ETX-T Maxim Integrated 半导体 射频半导体 Up-down converters sige 700-1000mhz downconversion mixer
Image: CC1010-RTY1 CC1010-RTY1 Texas Instruments 半导体 射频半导体 RF transceiver integ 300-1000mhz RF xceiver & micrcntrlr
Image: CC1010PAG CC1010PAG Texas Instruments 半导体 射频半导体 RF transceiver 300-1000mhz LW pwr transceiver
Image: AH116-S8G AH116-S8G TriQuint Semiconductor 半导体 射频半导体 RF amplifier 800-1000mhz 17.5db gain@900mhz
Image: WJA1515 WJA1515 TriQuint Semiconductor 半导体 射频半导体 RF amplifier 50-1000mhz +38dbm oip3

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