描述：宽共模范围:-16v 至 + 80vcmrr: 78dbaccuracy: ± 10mv 偏移(max) ± 7.5% 增益误差(max)100v/° c 偏移漂移(max)带宽: 高达130khztransfer function: 20v/vquiescent: 1600a (max) power supply: + 2.7 v 至 + 18 v 过滤应用规定井下钻孔温度环境支持极端温度应用可控基准元件组装/测试场所制造场所可用于极端(- 55 ° c/210 ° c)温度范围(1)延长产品寿命周期产品更改通知产品可控性德州仪器高温产品利用高度优化的设计和工艺改进解决方案，最大限度地提高性能超长温度。

描述：16 位线性 支持握手的单线制接口 (SWIF) 数字数据传输（无保真度损耗） 引脚可编程加电条件 输入数据速率自调节 环路错误检测和报告 可编程输出电流误差电平 无外部精密组件 到可寻址远程传感器高速通道 (HART) 调制器的简单接口

描述：最大采样率 无丢码的14位分辨率 用于信噪比(SNR)/无杂散动态范围(SFDR)权衡 的3.5dB粗调增益和最高6dB可编程微调增益 并行CMOS和双倍速率(DDR) LVDS输出选项 支持正弦，低压COMS(LVCOMS)，低电压正射极耦合逻辑(LVPECL)，LVDS时钟输入，和时钟振幅低至400mVPP 时钟占空比稳定器 支持外部基准的内部基准 无需为基准提供外部退偶装置 可编程输出时钟位置和数据捕捉的驱动强度 3.3V模拟和1数字电源

描述：高分辨率：124dB 信噪比 (SNR) (1000SPS) 高精度：总谐波失真 (THD)：–102dB 积分非线性 (INL)：0.5ppm 低噪声可编程增益放大器 (PGA) 双通道输入多路复用器 (MUX) 固有稳定性的调制器，支持快速响应超范围检测 灵活的数字滤波器： 正弦 + 有限脉冲响应 (FIR) + 无限脉冲响应 (IIR)（可选） 线性或最小相位响应 可编程的高通滤波器 可选的 FIR 数据速率： 250SPS 至 4kSPS 滤波器旁路选项 低功耗：25mW (210°C) 偏移和增益校准引擎 SYNC 输入 模拟电源：单极 (5V) 或双极 (±2.5V) 数字电源：1.75V 至 3.3V

描述：宽共模范围:-16v 至 + 80vcmrr: 78dbaccuracy: ± 10mv 偏移(max) ± 7.5% 增益误差(max)100v/° c 偏移漂移(max)带宽: 高达130khztransfer function: 20v/vquiescent: 1600a (max) power supply: + 2.7 v 至 + 18 v 过滤应用规定井下钻孔温度环境支持极端温度应用可控基准元件组装/测试场所制造场所可用于极端(- 55 ° c/210 ° c)温度范围(1)延长产品寿命周期产品更改通知产品可控性德州仪器高温产品利用高度优化的设计和工艺改进解决方案，最大限度地提高性能超长温度。

描述：宽电源电压范围 m2901:2ー36vdcor ± 1ー ± 18vdclarge 信号带宽和摆率100% tested370mhz 带宽(av = 1，vout = 0.5 vpp)-3 db bw260mhz (av = + 2 v/v，vout = 0.5 vpp)-3 db bw1 ma 电源电流电流电流输出 t110ma，0.03% ,0.11 ° 差分增益，0.1 db 增益平坦度至100mhz/fast 转换速率: 600v/sunity 增益稳定单位供应范围为4.5ー12v,(lmh6723)甚低电源电流漏极(0.8 ma)ー与电源电压无关的输入偏置电流: 25nalow 输入偏置电流: ± 5nalow 输入偏置电压: ± 3mvv 输入共模电压范围包括 gndmr 差分输入电压范围等于电源电压低输出饱和电压: 250mv，在与 ttl，dtl，ecl，mos 和逻辑系统兼容的4倍输出电压下

描述：宽电源电压范围: 2901:2ー36vdcor ± 1ー ± 18vdcvery low 电源电流漏极(0.8 ma)ー与电源电压无关的输入偏置电流: 25nalow 输入偏置电流: ± 5naoffset 电压: ± 3mvinput 共模电压范围包括与电源电压饱和输出电压相等的 gnddifferential 输入电压范围: 250mv 在4个与 ttl、 dtl、 ecl、 mos 和逻辑系统兼容的最大输出电压下

描述：无频率补偿要求短路保护宽共模和差分电压范围低功耗无锁存平衡零点

描述：吸收剂量50 krad (si) eldrs free 50 krad (si) tcvio 温度灵敏度(典型)0.015 v/° c (v s = 5v，除非另有说明)低温确保 vio 超过温度60 v 低噪声没有1/f 35nv/√ high cmrr 90 dbhigh psrr 90 dbwide 增益产品3mhzzmr 高转换率4v/srail-to-rail 输出30mvno 外部需要

描述：易于使用的电压反馈拓扑高摆率3000v/swide 单位增益带宽100mhzlow 电源电流2.3 ma/放大器高输出电流50ma/放大器，用于 ± 15v 和 ± 5v 工作

描述：100krad (si) eldr free 100krad (si) wide supply voltage rangelm139/139a series 2 to 36vdc or ± 1 to ± 18vdcvery low supply current dri漏(0.8 ma)ー与电源电压无关的输入偏置电流: 25nalow 输入偏置电流: ± 5 naalow 偏置电压: ± 1 mvinput 公共模式电压范围包括 dgnmv 输入电压范围等于电源电压饱和差动输出电压: 250 at 4 maxat 4 mathtttl，dtl，cmos，ecl，mos 和逻辑系统兼容

描述：Ta = 25 ° c，rl = 100，典型值，除非指定，差异很小。增益，相位: 0.02% ，0.02 ° 宽带: 480mhz (av = + 1 v/v) ; 400mhz (av = + 2 v/v)0.1 db 增益平坦度到100mhzlow 功率: 5.8 ma/channel-70db 信道间串扰(10mhz)快速转换速率: 1300v/sunity 增益稳定改进型 clc412更换

描述：Vs = ± 5 v，ta = 25 ° c，av = 2v/v，rl = 100，vout = 2 vpp，除非注明: 2次和3次谐波(5mhz，sot-23)-100/-96dbc-3 db 带宽(vout = 0.5 vpp)1.7 ghzlow 噪声1.83 nv/hz√快速调节到0.1% 13.4快 nsrate 3100 v/ssupply current 12.5 maow 输出电流80 malow 输出失真(75 mhz)-67dbcproved 替换 cl409和 c449

描述：(v s = ± 5 v，t a = 25 ° c，r l = 2 k，a v = + 1.标准值，除非另有说明)。- 3 db bw (a v = + 1)130 mhzsupply voltage range 2.7 v to 12.8 v摆率，(a v =-1)130 v/s (1)电源电流(空载)2.7 ma/amp 输出短路电流 + 115 ma 至145 mallinear 输出电流 ± 75主模式电压0.5 v 超过 v-,1v 从 v + 输出电压摆动40mv 从 rails 输入电压噪声(100khz)17nv/√ hz输入电流噪声(100khz)0.9 pa/hzthd (5mhz，rl = 2k，v o = 2v pp，a v = + 2)-62dbcsetting 时间68nsfully 描述为3 v，5 v，和 ± 5nsvoverdrive 恢复100输出短路保护(2)没有输出相反转超过 cmvr

描述：(v s = 5v，标准值，除非另有规定)供电电流(空载)3.6正交电流(关模)400 a 输出电阻(闭环1mhz)0.186-3db bw (a v = 1)190db 稳定时间33nsecinput 共模电压 -0.2 v 至4voutput 电压摆幅40mv 从铁路线性输出电流110matotal 谐波失真 -60dbcfully 特征为3v,5v 和 ± 5vno 输出相位反转，输出相位反转指数在0.045 ° 以上，超驱回复率1mhz-70dbmr 差动增益0.12% ，相位差0.045 °

描述：VS=±6伏，TA=25°C、 AV=20（除非另有规定，否则为典型值） 增益带宽1.5ghz 输入电压噪声0.92 nV/√赫兹 输入偏移电压（温度上限）700µ五 转换率350 V/µs 转换率（AV=10）400 V/µs f=10 MHz时的HD2，RL=100Ω –63分贝 f=10 MHz时的HD3，RL=100Ω –80分贝 电源电压范围5 V至12 V 改进的CLC42替代品

描述：900兆赫−3dB带宽（AV=1） 大信号带宽和转换率100%测试 280兆赫−3dB带宽（AV=+2，VOUT=2VPP） 90mA线性输出电流 1400V电压/μs回转率 单位增益稳定 <1mV输入偏置电压 7mA电源电流（空载） 6.6V至12V电源电压范围 0.01%/0.026° 差分增益/相位PAL 3.1内瓦√赫兹电压噪声 改进了CLC440、CL420、CL426的替代品

描述：典型，除非另有说明 轨对轨输入共模电压范围（确保过温） 轨对轨输出摆幅（电源轨20 mV以内，100-kΩ 负载） 确保3-V、5-V和15-V性能 优良的共模抑制比和PSRR:82db 超低输入电流：20 fA 高电压增益（RL=500KΩ): 130分贝 指定用于2-kΩ 和600-Ω 荷载 功率输出良好 在VSSOP包中提供

描述：（最大限值，25°（除非另有说明） 输入电流（100%测试）：25 fA 输入电流超温：2 pA 低功率：750µA 低VOS:350µ五 低噪音：22 nV/√频率为1 kHz，典型值

描述：（最大限值，25°（除非另有说明） 输入电流（100%测试）：25 fA 输入电流超温：2 pA 低功率：750µA 低VOS:350µ五 低噪音：22 nV/√频率为1 kHz，典型值

描述：提供辐射保证 总电离剂量100克拉（Si） ELDRS免费100克拉（Si） 广泛供应 电压范围：2.0VDC至36VDC 单电源或双电源：±1.0伏至±18伏 极低的电源电流消耗（0.4 mA）-与电源电压无关 低输入偏置电流：25毫安典型值 低输入偏置电流：±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压，典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与TTL，DTL，ECL，MOS和CMOS逻辑系统兼容

描述：提供辐射规格 高剂量率100克拉（Si） ELDRS免费100克拉（Si） 单位增益内部频率补偿 直流电压增益大： 100分贝 宽带（单位增益）： 1 MH z（温度补偿） 宽电源范围： 单电源： 3V至32V 或双电源： ±1.5V至±16伏 极低的电源电流消耗（500μ（一）− 基本上独立于电源电压 低输入偏移电压： 2毫伏 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 输出电压摆幅大： 0V至V+− 1.5伏

描述：可保证辐射 高剂量率100 krad（Si） ELDRS免费100克拉（Si） 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常80 ns响应时间±15伏 每侧至少有2个风扇 最大输入电流1μ温度过高 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率可保证辐射 高剂量率100 krad（Si） ELDRS免费100克拉（Si） 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常80 ns响应时间±15伏 每侧至少有2个风扇 最大输入电流1μ温度过高 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率

描述：可保证辐射 高剂量率50克拉（Si） 低剂量和无ELDRS 100 krad（Si） 由单个5V电源供电 输入电流：200毫安最大超温 偏置电流：20毫安最大超温 差分输入电压范围：±30伏 功耗：135 mW±15伏 电源电压，单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力

描述：内部中级基准电压 伪差分输出电压 宽动态范围 闭环互阻抗带宽： 125MHz（5kΩ 互阻抗增益，1.5pF 外部寄生电容） 105MHz（20kΩ 互阻抗增益，1.5pF 外部寄生电容） 输入引入的电流噪声非常低（Brickwall 滤波器 BW = 135MHz）： 15 nARMS（20kΩ 互阻抗） 超短过载恢复时间：< 25ns 内部输入保护二极管 电源： 电压：2.7V 至 3.6V 电流：23.4mA 扩展温度范围：-40°C 至 +85°C

描述：高增益带宽积：1.6GHz 高带宽：275MHz (G = 10) 转换率：700V/µs（G = 10，步长为 1V） 低输入偏移电压：±250µV 低输入偏置电流：2pA 低输入电压噪声：4.8nV/√Hz 高输出电流：70mA 快速过驱恢复

描述：单位增益带宽 低输入偏置电流 低偏移和漂移 低 DL 高输出电流 低输入电压噪声

描述：单电源供电 输入电压范围扩展至接地 灌电流时输出摆幅至接地 低电源电流 低峰峰值电压噪声 低电流噪声 应用 电池供电的精密仪表 仪表放大器 热电偶放大器 多重极限阈值检测 有源滤波器 多个增益块

描述：低噪声，CMOS 输入运算放大器 单位增益稳定的运算放大器 关断模式下，每通道的电源电流 低压低噪系统中的性能 应用范围 光电二极管放大器 有源滤波器 和缓冲器 低噪声信号处理 医疗器械 传感器接口应用

描述：轨对轨输入共模电压范围（确保过温） 轨对轨输出摆幅（供电轨20mV以内，100KΩ 负载） 确保5V和15V性能 优良的共模抑制比和PSRR:82dB 超低输入电流：20fA 高压增益（RL=500KΩ): 130分贝 为2K指定Ω 和600Ω 荷载

描述：电源电压范围5V至24V 输入参考电压噪声5.5 nV/√ 赫兹 单位增益带宽20 MHz 1/f转角频率400 Hz 转换率5.6 V/μs 电源电流1.05 mA 低输入电容5.5 pF 温度范围-40°C至125°C级 总谐波失真0.01%@1 kHz，600Ω 输出短路电流25 mA

描述：低工作电流：450μA 宽电源电压范围：4V至36V 宽共模范围：V− 至（V+− 1.8伏） 宽差分输入电压：±36伏 参考 可调输出电压：1.2V至5.0V 初始公差：±2.0% 工作电流范围宽：17μA至20mA 负载电容容限

描述：单电源或双电源 电源电压范围宽 最大额定值：2 V至36 V 测试电压为30 V 独立于电源的低电源电流消耗 电压：每个比较器0.4 mA（典型值） 低输入偏置电流：25毫安（典型值） 低输入偏移电压：2 mV（典型） 共模输入电压范围包括接地 差分输入电压范围等于 最大额定电源电压：±36伏 低输出饱和电压 与TTL、MOS和CMOS兼容的输出 在符合MIL-PRF-38535的产品上，除非另有说明，否则所有参数都要进行测试。 在所有其他产品上，生产过程不一定包括所有参数的测试。

描述：可保证辐射 总电离剂量100克拉（Si） ELDRS免费100克拉（Si） 宽电源电压范围 LM139/139A系列2至36 V DC或±1至±18伏直流电 极低的电源电流消耗（0.8 mA）-与电源电压无关 低输入偏置电流：25毫安 低输入偏置电流：±5不适用 偏移电压：±1毫伏 输入共模电压范围包括GND 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压：4 mA时为250 mV 输出电压与TTL，DTL，ECL，MOS和CMOS逻辑系统兼容

描述：不带外通晶体管的150 mA输出电流 通过添加外部晶体管，输出电流可能超过10A 最大输入电压40V 输出电压从2V到37V可调 可以用作线性或开关稳压器

描述：提供辐射保证 总电离剂量100克拉（Si） ELDRS免费100克拉（Si） 广泛供应 电压范围：2.0VDC至36VDC 单电源或双电源：±1.0伏至±18伏 极低电源电流消耗（0.4 mA）— 独立于电源电压 低输入偏置电流：25毫安典型值 低输入偏置电流：±5 nA典型值 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压，典型值为4 mA时为250 mV 输出电压与TTL，DTL，ECL，MOS和CMOS逻辑系统兼容

描述：可保证辐射 高剂量率100克拉（Si） ELDRS免费100克拉（Si） 两个独立比较器 从单个5V电源运行 通常在±15V下80 ns响应时间 每侧至少有2个风扇 1μA过温最大输入电流 输入和输出可以与系统接地隔离 高共模转换率

描述：可保证辐射 高剂量率50克拉（Si） 低剂量和无ELDRS 100 krad（Si） 由单个5V电源供电 输入电流：200毫安最大超温 偏置电流：20毫安最大超温 差分输入电压范围：±30伏 功耗：135 mW±15伏 电源电压，单个5V至±15伏 偏置电压零点能力 选通能力

描述：优势 取代昂贵的混合和模块场效应晶体管 运放 坚固的JFET允许吹出自由处理 与MOSFET输入器件相比 适用于低噪音应用 高或低源阻抗–非常 低1/f角 偏移调整不会降低漂移或 共模抑制 单片放大器 新的输出级允许使用大的 无稳定性的电容性负载（5000 pF） 问题 内补偿大差动 输入电压能力

描述：内部修整偏置电压：最大5 mV 低输入偏置电流：50Pa 低输入噪声电流：0.01 pA/√Hz 宽增益带宽：4MHz 高回转率：13 V/μs 低电源电流：7.2 mA 高输入阻抗：1012Ω 低总谐波失真：≤0.02% 低1/f噪声角：50 Hz 快速沉降时间为0.01%：2μs

描述：高带宽 （在25°C时为240 MHz和在210°C时为100 MHz，G = 2） 高输出电流 （25°C时为±110 mA而在210°C时为50 mA） 低输入噪音 （在25°C时为2.5 nV/√Hz 而在210°C时为4.5 nV/√Hz） 低电源电流 （在25°C时为5.6mA而在210°C时为6.8mA） 灵活的电源电压： 双电源时为±2.5 V至±5 V 单电源时为+5 V

描述：QML-V合格，SMD 5962-7704301VCA、5962-9950403VCA和5962-9950403V9B 耐辐射：每天三次每次50克拉 （5962-9950403VCA和5962-9950403V9B）（1） TID剂量率=0.01 rad/sec（Si） 供应范围广 单电源：3 V至32 V 双电源：±1.5 V至±16 V 低电源电流消耗独立于 电源电压：0.8 mA（类型） 低输入偏置和偏置参数 输入偏置电压：1 mV型 输入偏置电流：2NA型 电流偏置输入：30毫安型 共模输入电压范围包括 地面，允许近地面直接感应 差动输入电压范围等于最大额定电源电压：±32 V 开环差分电压 放大：100 V/mV型 内部频率补偿

描述：全差分架构 带宽： 40.7 MHz (210°C) 转换速率： 353.5 V/μs (210°C) HD2: –96 dBc，在 1 kHz (1 VRMS, RL = 1 kΩ) (210°C) HD3: –91.5 dBc，在 1 kHz (1 VRMS, RL = 1 kΩ) (210°C) 输入电压噪声： 19.95 nV/√Hz (f = 100 kHz) 开环增益： 90 dB （典型值）(210°C) NRI—负轨输入 RRO—轨至轨输出 输出共模控制 （具有低失调及低漂移） 电源 电压： 2.5 V (±1.25 V) 至 3.3 V (±1.65 V) 电流：每通道 1.4 mA （在 3.3 V 电压下） 断电能力： 10 µA （典型值）(210°C)

描述：符合 QMLV 标准：5962-16209 抗辐射加固保障 (RHA) 高达 50krad(Si) 总电离剂量 (TID) 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS)（请参阅辐射报告） 单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg 超低偏移电压：20µV 超低漂移：±0.15µV/°C 高开环增益：134dB 高共模抑制比：140dB 高电源抑制比：130dB 宽电源电压范围：±2V 至 ±18V 低静态电流：800µA/放大器 采用 14 引线 CFP，具有行业标准四路运算放大器引脚

描述：低偏移电压：26µV（最大） 0.01-Hz至10 Hz噪声：1.5µVPP 静态电流：50µA 单电源操作 电源电压：1.8 V至5.5 V 轨对轨输入和输出 支持极端温度应用 受控基线 一个装配/试验现场 一个制造场地 提供极端温度（–55°C至210°C） 温度范围（1） 延长产品生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 德州仪器的高温产品使用 高度优化的硅（芯片）设计解决方案 和流程增强，以最大限度地 延长温度下的性能。

描述：低电压噪声：1 kHz时为1.1 nV/√Hz 输入电压噪声： 80 nVPP（0.1 Hz至10 Hz） THD+N:–136dB（G=1，f=1kHz） 偏置电压：240µV（最大） 偏移电压漂移：0.35µV/°C（典型值） 低电源电流：6 mA/Ch（典型值） 单位增益稳定 增益带宽乘积： 80兆赫（G=100） 45兆赫（G=1） 转换速率：27 V/µs 16位：700 ns 供应范围广： ±2.25 V至±18 V，4.5 V至36 V 轨对轨输出 输出电流：30mA 应用 井下钻探 高温环境

描述：QML-V合格，SMD 5962-7700801VCA，5962-9673802VCA 和5962-9673802V9B 耐辐射：40克拉/秒（Si）TID （5962-9673802VCA和5962-9673802V9B）（1） TID剂量率=0.01 rad/sec（Si） 供应范围广 单电源：2 V至36 V （测试电压为30 V） 双电源：±1 V至±18 V （测试至±15 V） 与电源电压无关的低电源电流消耗： 0.8毫安（典型值） 低输入偏置电流：25毫安（典型值） 低输入偏置电流：3 nA（典型）（LM139） 低输入偏移电压：2 mV（典型值） 共模输入电压范围包括接地 差动输入电压范围等于最大额定值 电源电压：±36 V 低输出饱和电压 与TTL、MOS和CMOS兼容的输出

描述：提供辐射规格 高剂量率100克拉（Si） ELDRS免费100克拉（Si） 单位增益内部频率补偿 大直流电压增益100db 宽带（单位增益）1 MHz （温度补偿） 宽电源范围：  单电源3V至32V

描述：0.55 英寸微镜阵列对角线 1024 × 768 铝阵列，微米级微镜（XGA 分辨率） 10.8µm 微镜间距 ±12°微镜倾斜角 （相对于平板状态） 设计用于边缘照明 设计用于宽带可见光（420nm 至 700nm）： 窗口传输 97%（单通、通过双窗面） 微镜反射率 88% 阵列衍射效率 86% 阵列填充因子 92% 16 位低压差分信令 (LVDS)、双倍数据速率 (DDR) 输入数据总线 200MHz 输入数据时钟速率 针对高速图形速率的专用 DLPC200 控制器 5,000Hz（1 位二进制图形） 500Hz（8 位灰度图形） 450 系列封装特性： 散热区域 18mm × 12mm，支持高屏幕流明 (>2000 lm) 149 微针栅阵列可靠电气连接 封装匹配 Amphenol InterCon 系统 450-2.700-L-13.25-149 插孔

描述：3.3V 开关稳压器 - 逻辑电源 具有使能功能的 5V 开关稳压器 - 模拟电路电源 1.0V 至 3.3V 可调节开关稳压器 - 内核电源 具有使能功能的可调节线性稳压器 - 锁相环 (PLL) 电源 具有使能功能的可调节线性稳压器控制 - 模拟电源 2.5V 开关稳压器数字电源 电源序列控制 电源监控电路 适用于高侧驱动的集成电荷泵 三个风扇驱动器 热关断电路 串行通信接口 三相反电动势 (BEMF) 电动机驱动器/控制器 电机电源开关稳压器