描述：高性能硅门极 CMOS MC74HC03A 与 LS03 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。HC03A NAND 门极具有高性能 MOS N 沟道晶体管作为输出。因此，此 NAND 门极使用恰当的上拉电阻可用于有线 AND 应用。该器件的输出特性曲线如此数据表中所示，可用作 LED 驱动器，或仅需汲电流的任何其他应用。 特性 输出驱动能力：10 LSTTL负载，带有合适的上拉电阻 输出直接接口至CMOS，NMOS和TTL CMOS器件的高抗噪特性 工作电压范围：2至6V 低输入电流：1 m A 符合JEDEC标准7A要求 芯片复杂度：28个FET或7个等效门 提供无铅封装*

描述：高性能硅门极 CMOS MC74HC02A 与 LS02 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。 特性 输出驱动能力：10 LSTTL负载 输出直接接口至CMOS，NMOS和TTL 工作电压范围：2.0至6.0 V 低输入电流：1.0 m A CMOS器件的高抗噪特性 符合JEDEC标准7A定义的要求 芯片复杂度：40个FET或10个等效门 提供无铅封装

描述：四路 2 输入 NAND 门极。高性能硅门极 CMOS。MC74HC00A 与 LS00 的引脚输出相同。该器件输入与标准 CMOS 输出兼容；带有上拉电阻，它们与 LSTTL 输出兼容。 特性 输出驱动能力：10 LSTTL负载 输出直接接口至CMOS，NMOS和TTL 工作电压范围：2至6 V 低输入电流：1 µA CMOS器件的高抗噪特性 符合JEDEC标准7A要求 芯片复杂度：32个FET或8个等效门 提供PbFree软件包

描述：3- 状态输出驱动器总线或缓冲区内存地址寄存器输出源/汇24 maact241具有 ttl 兼容的输入/输出无包可用 *

描述：输出 source/sink 24 maact10具有 ttl 兼容的 inputspb-free 包是可用的

描述：输出 source/sink 24 maact10具有 ttl 兼容的 inputspb-free 包是可用的

描述：MC74AC14/74ACT14 包含六个逻辑逆变器，可接收标准CMOS 输入信号（用于MC74ACT14 的信号电平)，并提供标准CMOS 输出电平。它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。另外，它们的噪声裕度比传统逆变器更佳。MC74AC14/74ACT14 在正向输入阈值和负向输入阈值之间存在迟滞（通常为1.0V），这由晶体管比内部决定，基本上对温度和电源电压变化不敏感。

描述：MC74AC / 74ACT132包含四个2输入NAND门，它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。此外，它们具有比常规与非门更大的噪声容限。 每个电路都包含一个2输入施密特触发器。施密特触发器使用正反馈来有效加快缓慢的输入过渡，并为正向和负向过渡提供不同的输入阈值电压。正向和负向输入阈值之间的磁滞由电阻比确定，并且基本上对温度和电源电压变化不敏感。 特性 施密特触发器输入 输出源/灌24 mA ACT132具有TTL兼容输入PIN配置J后缀案例632-08（陶瓷）N后缀案例646-06（塑料）D后缀-案例751A-03（SOIC） 提供无铅封装

描述：输出 source/sink 24 maact10具有 ttl 兼容的 inputspb-free 包是可用的

描述：输出 source/sink 24 maact10具有 ttl 兼容的 inputspb-free 包是可用的

描述：输出 source/sink 24 maact02具有 ttl 兼容的 inputspb-free 包可用

描述：输出 source/sink 24 maact02具有 ttl 兼容的 inputspb-free 包可用

描述：输出 source/sink 24 maact02具有 ttl 兼容的 inputspb-free 包可用

描述：四路 2 输入 NAND 门极。高性能硅门极 CMOS。MC74HC00A 与 LS00 的引脚输出相同。该器件输入与标准 CMOS 输出兼容；带有上拉电阻，它们与 LSTTL 输出兼容。 特性 输出驱动能力：10 LSTTL负载 输出直接接口至CMOS，NMOS和TTL 工作电压范围：2至6 V 低输入电流：1 µA CMOS器件的高抗噪特性 符合JEDEC标准7A要求 芯片复杂度：32个FET或8个等效门 提供PbFree软件包

描述：3状态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器输出源/汇24 ma act241具有 ttl 兼容输入无铅包可用 *

描述：输出源/汇24 mA 特性 输出源/汇24 mA ACT20具有TTL兼容输入 提供无铅包装

描述：输出源/汇24 mA 特性 输出源/汇24 mA ACT20具有TTL兼容输入 提供无铅包装

描述：MC74AC14/74ACT14 包含六个逻辑逆变器，可接收标准CMOS 输入信号（用于MC74ACT14 的信号电平)，并提供标准CMOS 输出电平。它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。另外，它们的噪声裕度比传统逆变器更佳。MC74AC14/74ACT14 在正向输入阈值和负向输入阈值之间存在迟滞（通常为1.0V），这由晶体管比内部决定，基本上对温度和电源电压变化不敏感。

描述：MC74AC / 74ACT132包含四个2输入NAND门，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。此外，它们具有比常规与非门更大的噪声容限。 每个电路都包含一个2输入施密特触发器。施密特触发器使用正反馈来有效加快缓慢的输入过渡，并为正向和负向过渡提供不同的输入阈值电压。正向和负向输入阈值之间的磁滞由电阻比确定，并且基本上对温度和电源电压变化不敏感。 特性 施密特触发器输入 输出源/灌24 mA ACT132具有TTL兼容输入PIN配置J后缀案例632-08（陶瓷）N后缀案例646-06（塑料）D后缀-案例751A-03（SOIC） 提供无铅封装

描述：输出源/汇24 mA 特性 三态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器 输出源/汇24 mA ACT241具有TTL兼容输入 提供无铅包装*

描述：输出源/汇24 mA 特性 三态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器 输出源/汇24 mA ACT241具有TTL兼容输入 提供无铅包装*

描述：输出源/汇24 mA 特性 三态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器 输出源/汇24 mA ACT241具有TTL兼容输入 提供无铅包装*

描述：输出源/汇24 mA 特性 三态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器 输出源/汇24 mA ACT241具有TTL兼容输入 提供无铅包装*

描述：输出源/汇24 mA 特性 三态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器 输出源/汇24 mA ACT241具有TTL兼容输入 提供无铅包装*

描述： 特性 输出驱动能力：+/- 24 mA 工作电压范围：2至6 V AC00；4.5至5.5 ACT00 低输入电流：1 µA CMOS器件的高抗噪特性 符合JEDEC标准7A要求 提供无铅封装。

描述：输出源/汇24 mA 特性 三态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器 输出源/汇24 mA ACT241具有TTL兼容输入 提供无铅包装*

描述：输出源/汇24 mA 特性 ACT32具有TTL兼容输入 提供无铅包装*

描述：输出源/接收器24 mA 特性 输出源/接收器24 mA ACT20具有TTL兼容输入 提供无铅包装

描述：MC74AC14 / 74ACT14包含六个逻辑反相器，它们接受标准CMOS输入信号（MC74ACT14的TTL电平）并提供标准CMOS输出电平。它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。此外，它们具有比常规逆变器更大的噪声容限。 MC74AC14 / 74ACT14在正向和负向输入阈值（通常为1.0 V）之间具有磁滞，该阈值在内部由晶体管比率决定，并且对温度和电源电压变化基本不敏感。 特性 施密特触发器输入 输出源/灌24 mA ACT14具有TTL兼容输入 提供无铅封装

描述：MC74AC / 74ACT132包含四个2输入NAND门，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。此外，它们具有比常规与非门更大的噪声容限。 每个电路都包含一个2输入施密特触发器。施密特触发器使用正反馈来有效加快缓慢的输入过渡，并为正向和负向过渡提供不同的输入阈值电压。正向和负向输入阈值之间的磁滞由电阻比确定，并且基本上对温度和电源电压变化不敏感。 特性 施密特触发器输入 输出源/灌24 mA ACT132具有TTL兼容输入PIN配置J后缀案例632-08（陶瓷）N后缀案例646-06（塑料）D后缀-案例751A-03（SOIC） 提供无铅封装

描述：输出源/汇24 mA ACT11具有TTL兼容输入 提供无铅包装

描述：输出源/汇24 mA ACT10具有TTL兼容输入 提供无铅包装

描述：输出源/汇24 mA 特性 ACT04具有TTL兼容输入 提供无铅包装

描述：输出源/汇24 mA 特性 ACT04具有TTL兼容输入 提供无铅包装

描述：输出源/汇24 mA ACT02具有TTL兼容输入 提供无铅包装

描述： 特性 输出驱动能力：+/- 24 mA 工作电压范围：2至6 V AC00；4.5至5.5 ACT00 低输入电流：1 µA CMOS器件的高抗噪特性 符合JEDEC标准7A要求 提供无铅封装。 特性 输出驱动能力：+/- 24 mA 工作电压范围：2至6 V AC00；4.5至5.5 ACT00 低输入电流：1 µA CMOS器件的高抗噪特性 符合JEDEC标准7A要求 提供无铅封装。

描述：MC14584B 六路施密特触发器是使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。MC14584B 可用来代替 MC14069UB 六路逆变器，以增强抗扰度，适应缓慢变化的波形。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载 所有输入均具有双二极管保护 可以用来替代MC14069UB 要获得更大的滞后性，请使用MC14106B，这是CD40106B和MM74Cl4的引脚对引脚替换 提供无铅封装*

描述：MC14572UB 六路功能门极在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些互补 MOS 逻辑门极主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。该芯片包括四个逆变器、一个 NOR 门极和一个 NAND 门极。 特性 所有输入上的二极管保护 单电源操作 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc NOR输入引脚与V SS引脚相邻，简化了反相器的使用 与V DD引脚相邻的NAND输入引脚简化了反相器的使用 NOR输出引脚，与OR输入对应的反相器输入引脚相邻 与AND应用相邻的NAND输出引脚与反相器输入引脚相邻 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载 提供无铅封装

描述：MC14106B十六进制施密特触发器由MOS P通道和N通道增强模式器件以单个整体结构构成。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。MC14106B可以代替MC14069UB十六进制逆变器使用，以增强抗噪能力或“叠加”缓慢变化的波形。 特性 MC14584B上增加的磁滞电压 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载 CD40106B和MM74C14的引脚换引脚 可用于替换MC14584B或MC14069UB 提供无铅封装*

描述：MC14093B 施密特触发器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些器件主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。MC14093B 可以替代 MC14011B 四路 2 输入 NAND 门极，实现更高抗扰度，或对慢慢变化的波形进行“方形整形”。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载 所有输入均具有三重二极管保护 与CD4093引脚兼容 可用于替换MC14011B 每个输入都有独立的施密特触发器 提供无铅封装*

描述：B 系列逻辑门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：MC14011B和MC14081B上具有三二极管保护 对应CD4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*

描述：B系列逻辑门由P和N通道增强模式器件以单个整体结构（互补MOS）构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：MC14011B和MC14081B上具有三二极管保护 对应CD4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*

描述：MC14070B四路“异或”门和MC14077B四路“异或”门由MOS P通道和N通道增强模式器件以单个整体结构构成。这些互补的MOS逻辑门主要用于要求低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载 所有输入均具有双二极管保护 MC14070B-替换CD4030B和CD4070B类型 MC14077B-替代CD4077B类型 提供无铅封装*

描述：B系列逻辑门由P和N通道增强模式器件以单个整体结构（互补MOS）构成。它们的主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的地方。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：MC14011B和MC14081B上具有三二极管保护 对应CD4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*

描述：B 系列逻辑门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：MC14011B和MC14081B上具有三二极管保护 对应CD4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*

描述：MC14070B 四互斥 OR 门极和 MC14077B 四互斥 NOR 门极在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。这些互补 MOS 逻辑门极主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载 所有输入均具有双二极管保护 MC14070B-替换CD4030B和CD4070B类型 MC14077B-替代CD4077B类型 提供无铅封装*

描述：MC14069UB 六路逆变器在一个单片结构中使用MOS P 沟道和N 沟道增强模式器件构造。此类逆变器主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。六个逆变器中每个均为单级，最大​​程度降低了传播延迟。

描述：B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：MC14011B和MC14081B上具有三二极管保护 对应CD4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*

描述：B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载。 除以下各项外，所有输入均具有双二极管保护：MC14011B和MC14081B上具有三二极管保护 对应CD4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*

描述：此类双路 4 输入 NAND 门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 特性 电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc 所有输出均已缓冲 能够在额定温度范围内驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗肖特基TTL负载。 所有输入均具有双二极管保护 对应CD4000系列B后缀设备的引脚对引脚替换 提供无铅封装*