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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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STGF20H60DF | STMicroelectronics |   |
半导体 分离式半导体 | igbt transistors 600v 20a high speed trench gate igbt |
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STGF20H60DF | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 该器件是一种igbt，采用先进的专用沟道栅极和场阻结构。这一系列的igbt提供了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，最大限度地提高了超高频变频器的效率。此外，正的vce（sat）温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更加容易。 |
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