首页 > 关键词 > SI4410DY-REVA-E3
关键词SI4410DY-REVA-E3
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
---|
为您共找出"14"个相关器件
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
---|---|---|---|---|---|
SI4410DY-REVA-E3 | Vishay Siliconix | 半导体 分离式半导体 | mosfet 小信号 30v 10a 2.5W | ||
SI4410DY-REVA | Vishay Siliconix | 半导体 分离式半导体 | mosfet 小信号 30v 10a 2.5W | ||
SI4410DY-T1-REVA | Vishay Siliconix | 半导体 分离式半导体 | mosfet 小信号 30v 10a 2.5W | ||
SI4410DY,518 | NXP Semiconductors | 半导体 FET - 单 | mosfet N-CH 30v sot96-1 | ||
SI4410DY | Fairchild Semiconductor | 半导体 FET - 单 | mosfet N-CH 30v 10a 8-soic | ||
SI4410DY | International Rectifier | 半导体 FET - 单 | mosfet N-CH 30v 10a 8-soic | ||
SI4410DY-T1-A-E3 | Vishay Siliconix | 半导体 分离式半导体 | mosfet 小信号 30v 10a 2.5W | ||
SI4410DY /T3 | NXP Semiconductors | 半导体 晶体管 | mosfet 功率 tape13 mosfet | ||
SI4410DY | NXP Semiconductors | 半导体 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | ||
SI4410DY | Vishay Siliconix | N-channel 30-V (D-S) mosfet | |||
SI4410DY | Philips Semiconductors | N-channel enhancement mode field-effect transistor | |||
SI4435DY-T1-REVA | Vishay Siliconix | 半导体 晶体管 | mosfet 功率 30v 8A 2.5W | ||
SI4435DY-REVA-E3 | Vishay Siliconix | 半导体 晶体管 | mosfet 功率 30v 8A 2.5W | ||
SI4435DY-REVA | Vishay Siliconix | 半导体 晶体管 | mosfet 功率 30v 8A 2.5W |
最新搜索
- LT1965IDD(10:23:)
- R5F21113FP(10:23:)
- 662-025-264-072(10:22:)
- 40-3625-31(10:22:)
- MS3126F16-8S(10:22:)
- SRR5018-1R2Y(10:22:)
- BZG04(10:22:)
- GS3-100-5600-J(10:22:)
- 4626-7200(10:22:)
- 74099-0013(10:22:)
- 38700-0102(10:22:)
- 95242-317ALF(10:22:)